Два ведущих игрока в полупроводниковой промышленности на основе нитрида галлия (GaN) — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) и Infineon Technologies AG — недавно одержали значительные юридические победы в продолжающихся патентных спорах против Innoscience Technology, подтвердив силу и правоприменяемость своих соответствующих портфелей интеллектуальной собственности GaN в Китае, Германии и Соединенных Штатах.

В Китае Пекинский суд по интеллектуальной собственности отклонил апелляцию, поданную компанией Innoscience (Сучжоу). Technology Co., Ltd., тем самым подтверждая действительность китайского патента EPC № ZL201080015425.X, озаглавленного “Компенсированный сбой затвора и способ его изготовления”. Этот патент, часто называемый патентом на компенсированный затвор, является краеугольным камнем инноваций EPC в области полевых транзисторов GaN с улучшенным режимом работы (FET). Это решение последовало за предыдущими проверками, проведенными Национальным управлением интеллектуальной собственности Китая (CNIPA) в апреле и мае 2024 года, в ходе которых два патента EPC были поддержаны, несмотря на возражения со стороны Innoscience. Недавнее постановление укрепляет позиции EPC как первопроходца в области технологии GaN и еще больше укрепляет ее и без того солидный портфель интеллектуальной собственности.

Запатентованная EPC технология GaN FET с улучшенным режимом работы необходима для питания систем следующего поколения, начиная от серверов искусственного интеллекта и автономных транспортных средств и заканчивая робототехникой, электронной мобильностью и инфраструктурой быстрой зарядки. Эти транзисторы широко известны тем, что обеспечивают более высокую эффективность, более быстрое переключение и уменьшенный размер по сравнению с обычными устройствами на основе кремния.

Параллельно Infineon Technologies AG добилась положительного судебного решения в Германии. Окружной суд Мюнхена I постановил, что Innoscience нарушила один из патентов Infineon, относящийся к технологии GaN. Решение суда запрещает Innoscience производить, сбывать или продавать контрафактную продукцию GaN на территории Германии и требует финансовой компенсации за ущерб, причиненный нарушением. Этот результат подчеркивает неизменную приверженность Infineon защите своих прав на интеллектуальную собственность и продвижению справедливой рыночной практики.

Обладая портфолио интеллектуальной собственности, охватывающим около 450 семейств патентов, связанных с GaN, Infineon продолжает укреплять свое лидерство в качестве ведущего производителя интегрированных устройств (IDM) в области GaN. Компания считает, что GaN имеет решающее значение для создания высокопроизводительных и энергоэффективных систем в различных областях, таких как возобновляемые источники энергии, промышленная автоматизация, электромобильность и центры обработки данных.

Оба правовых результата были достигнуты в более широком международном контексте, в котором также преобладал EPC. В отдельном решении Комиссии по международной торговле США было установлено, что Innoscience нарушила патенты EPC, в результате чего был издан приказ об исключении, запрещающий импорт в Соединенные Штаты продуктов Innoscience, нарушающих авторские права. Это постановление остается в полной силе.

Эти решения, принятые в различных юрисдикциях, усиливают важность надежной патентной защиты в быстро развивающейся полупроводниковой отрасли GaN и подтверждают центральную роль EPC и Infineon в продвижении инноваций и обеспечении честной конкуренции во всем мире.

Телеграмма