Alpha и Omega Semiconductor объявили о выпуске новой технологической платформы aSiC MOSFET на основе карбида кремния (SiC) напряжением 1200 В.  Специально ориентированная на промышленный и автомобильный рынок, эта технология нового поколения позволит заказчикам достичь более высоких уровней эффективности и удельной мощности по сравнению с существующими кремниевыми решениями.

Оптимизированная для минимизации потерь мощности как переменного, так и постоянного тока конструкция с низким сопротивлением затвора (RG) в сочетании с низким повышением сопротивления включения (RDS, ON) при перегреве, технология aSiC позволяет достичь высочайшей эффективности в широком диапазоне частот переключения приложений и температур.  Такая более высокая эффективность может привести к значительному снижению стоимости системы и общей номенклатуры материалов для многих промышленных применений, включая солнечные инверторы, системы ИБП, а также электромобильные инверторы и системы зарядки.

Первым продуктом, выпущенным для этой новой платформы, является AOK065V120X2, МОП-транзистор α SiC 1200 В 65 м, доступный в корпусе TO-247-3L.  Для простоты использования AOK065V120X2 спроектирован так, чтобы приводиться в действие вентильным приводом a -5V /+15V, что обеспечивает максимально широкую совместимость с существующими высоковольтными IGBT- и SiC-драйверами вентилей.  Работа с однополярным приводом также возможна благодаря оптимизированной конструкции системы.  Дополнительными преимуществами платформы aSiC являются надежные возможности пользовательского интерфейса, повышенная производительность при коротком замыкании и высокая максимальная рабочая температура — 175oC.

Ассортимент aSiC-МОП-транзисторов расширится позже в этом году, включив в себя более широкий спектр встроенных резисторов и дополнительных опций комплектации с полной квалификацией AEC-Q101.

Для получения дополнительной информации посетите www.aosmd.com /.