Transphorm подтвердила, что Ханчжоу
Компания Zhongheng Electric разработала сверхэффективный силовой модуль на основе GaN.
ZHR483KS мощностью 3 кВт использует GaN-устройства Transphorm для достижения 98-процентного КПД,
что делает его самым эффективным модулем
на базе GaN на сегодняшний день в телекоммуникационной отрасли. Производители оригинальных конструкций (ODM) могут заменить ZHR483KS, который
предлагает стандартизированные конфигурации выходных разъемов, на существующие
силовые модули одинаковой мощности для достижения высокой надежности и производительности при более
низкой общей стоимости системы.

ZHR483KS — это первое
силовое решение HZZH на базе GaN и флагманский продукт в новой линейке продуктов.
Входное напряжение модуля колеблется от 85 В до 264 В, в то время как его выходное напряжение колеблется от
От 42 В до 58 В. GaN-устройства Transphorm TPH3205WS используются в
PFC с перемычкой без мостов для достижения 98-процентного КПД при половинной нагрузке. Устройства
GaN снижают потери на переключение и управление силовым модулем, что приводит к
тому, что ZHR483KS превосходит по производительности предыдущие модули, в которых использовался кремний с суперпереходом
МОП-транзисторы.

Полевые транзисторы GaN от Transphorm — это двухкристальные устройства с обычным отключением, доступные в стандартных пакетах TO-XXX и модулях PQFN, которые могут управляться с помощью обычных готовых драйверов. Нынешнее семейство Gen III обеспечивает самое высокое в полупроводниковой промышленности пороговое напряжение GaN — 4 В и самую высокую надежность затвора — ±20 В. Эти функции позволяют заказчикам легко разрабатывать высоконадежные решения GaN, чтобы получить преимущества технологии высокой плотности мощности. В настоящее время ZHR483KS находится в производстве.

Для получения дополнительной информации посетите www.transphormusa.com .