Спрос продолжает стремительно расти на
Системы на основе карбида кремния (SiC) обеспечивают максимальную эффективность и уменьшают габариты и
вес, позволяя инженерам создавать инновационные энергетические решения. Области применения
, использующие технологию SiC, варьируются от электромобилей и зарядных станций до
интеллектуальных электросетей, промышленных и авиационных энергосистем. Микрочип
Technology Inc. (Nasdaq: MCHP) сегодня объявила о расширении линейки
компактных, легких и более эффективных модулей питания SiC. Вместе со своим широким
ассортиментом микроконтроллеров (MCU) и аналоговых продуктов Microchip удовлетворяет
потребности систем управления высокой мощностью, приводов вентилей и каскадов питания, предоставляя
заказчикам комплексные системные решения.

Семейство SiC от Microchip включает
в себя сертифицированные на рынке силовые модули на основе барьерных диодов Шоттки (SBD) в вариантах 700,
1200 и 1700 В. Новое семейство силовых модулей включает в себя различные
топологии, включая двойной диод, полный мост, фазную ветвь, двойной общий катод
и 3-фазный мост, в дополнение к различным вариантам тока и
комплектации. Добавление модулей SiC SBD упрощает конструкцию за счет интеграции
нескольких матриц SiC–диодов с возможностью смешивания и подбора материала подложки и опорной
плиты в одном модуле, что максимизирует эффективность переключения, снижает
повышение температуры и позволяет уменьшить площадь системы.

Гибкий портфель из 700, 1200 и
В модулях SiC SBD напряжением 1700 В используется SiC-матрица новейшего поколения Microchip, которая
максимально повышает надежность и долговечность системы и обеспечивает стабильный и длительный
срок службы. Высокая лавинообразная производительность устройств позволяет
разработчикам систем снизить потребность в демпфирующих схемах, а стабильность корпусного диода
позволяет проектировщикам использовать внутренний корпусной диод без долговременной деградации.
Благодаря внутреннему тестированию Microchip и тестированию сторонних производителей критические
показатели надежности доказали превосходную производительность устройств Microchip по сравнению с
другими устройствами производства SiC.

Эталонные конструкции/платы 3-фазных приводов Vienna с коррекцией коэффициента мощности (PFC) мощностью 30 кВт, дискретный модуль SiC и модуль SP3/SP6LI предоставляют разработчикам систем инструменты, помогающие сократить время цикла разработки. Недавно добавленное семейство цифровых программируемых драйверов вентилей AgileSwitch дополнительно ускоряет процесс перехода от стадии проектирования к производству.

Для получения дополнительной информации посетите www.microchip.com .