Power Integrations объявила, что ее
SIC118xKQ SCALE-IDriver, высокоэффективный одноканальный вентильный драйвер для
МОП-транзисторов из карбида кремния, теперь сертифицирован по стандарту AEC-Q100 для использования в автомобилях.
Устройства могут быть сконфигурированы таким образом, чтобы поддерживать требования к напряжению привода затвора
для широко используемых SiC-МОП-транзисторов, и оснащены сложными функциями безопасности и защиты
.

SIC1182KQ (1200 В) и SIC1181KQ (750 В
V) Устройства SCALE-IDriver оптимизированы для управления SiC-МОП
-транзисторами в автомобилестроении, имеют выходную мощность от рельса к рельсу, высокую скорость переключения затвора,
однополярное напряжение питания, поддерживающее положительное и отрицательное выходные напряжения,
интегрированное управление питанием и напряжением тока и усиленную изоляцию. Важнейшие
функции безопасности включают контроль напряжения от стока к источнику (VDS), считывание
показаний датчиков, блокировку первичного и вторичного пониженного напряжения (UVLO),
привод затвора с ограничением тока и усовершенствованный активный зажим, который облегчает безопасную эксплуатацию и
плавное отключение в условиях неисправности. AAC в сочетании с контролем VDS
обеспечивает безопасное отключение менее чем за 2 мкс в условиях короткого замыкания.
Управление приводом затвора и функции AAC позволяют свести к минимуму сопротивление затвора; это
снижает потери при переключении, максимизируя эффективность инвертора. 

Благодаря сочетанию функций управления и безопасности SCALE-IDriver
с высокоскоростной коммуникационной технологией FluxLink, мощность
Интеграция обеспечивает революцию в технологии микросхем управления затвором по сравнению с
опто-, емкостными или Si-изолированными магнитными соединителями. Такая комбинация
значительно улучшает изоляционные свойства и обеспечивает безопасные и экономичные
конструкции инверторов с очень небольшим количеством внешних компонентов мощностью до 300 кВт.

Новые одноканальные вентильные драйверы
SIC118xKQ обеспечивают ток до 8 А и подходят для SiC-МОП-транзисторов со стандартными напряжениями затвор-эмиттер от
+15 В, с различными отрицательными напряжениями в диапазоне от -3 В до -15 В.  Устройства обладают высокой устойчивостью к внешнему магнитному полю
и выпускаются в компактном корпусе eSOP, который обеспечивает
ползучесть и зазор ≥9,5 мм, с использованием материала с самым высоким уровнем CTI (CTI =600
согласно IEC 60112).

Для получения дополнительной информации посетите www.power.com .