Компания ROHM представила GAN HEMTs напряжением 650 В, размещенные в корпусе TOLL (TO-LeadLess), с недавно разработанным GNP2070TD-Z. Разработанный с учетом компактности и превосходного отвода тепла, этот корпус обеспечивает высокую пропускную способность по току и выдающиеся характеристики переключения. В результате пакет TOLL набирает популярность в приложениях, требующих надежного управления энергопотреблением, особенно в промышленном оборудовании и автомобильных системах. Для этого запуска ROHM заключила партнерское соглашение с ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD. (далее — ATX), хорошо зарекомендовавший себя поставщик OSAT (Outsourced Semiconductor Assembly and Test), для передачи производства корпусов на аутсорсинг.

Повышение эффективности двигателей и источников питания, на долю которых в совокупности приходится значительная часть мирового потребления электроэнергии, стало ключевой задачей на пути к обезуглероживанию общества. Силовые устройства играют решающую роль в повышении эффективности. Ожидается, что внедрение передовых материалов, таких как SiC (карбид кремния) и GaN, приведет к значительному повышению производительности источников питания.

В апреле 2023 года компания ROHM начала массовое производство своего первого поколения 650-вольтовых GaN HEMT, за которым последовал запуск микросхем power stage, объединяющих драйвер затвора и 650-вольтовый GaN HEMT в одном корпусе. Теперь компания ROHM представила новый продукт с элементами второго поколения в платной комплектации, дополняющий существующую линейку комплектаций DFN8080. Это расширение расширяет линейку GaN HEMT на 650 В от ROHM, удовлетворяя потребности рынка во все более компактных и эффективных приложениях высокой мощности.

Новейшие продукты включают чипы GaN-on-Si второго поколения в комплект поставки TOLL, обеспечивая лучшую в отрасли производительность по ключевому показателю устройства, который связывает сопротивление при включении и выходной заряд (RDS (ON) × Qoss). Это усовершенствование способствует дальнейшей миниатюризации и повышает энергоэффективность в энергосистемах, требующих высокого сопротивления напряжению и высокой скорости переключения.

Чтобы обеспечить массовое производство, ROHM использовала свои запатентованные технологии и опыт в области проектирования устройств, усовершенствованные с помощью вертикально интегрированной производственной системы, для контроля за дизайном и планированием продукции. В рамках сотрудничества, объявленного 10 декабря 2024 года, фронтальное производство осуществляется Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC), в то время как серверной обработкой занимается ATX. Кроме того, ROHM планирует сотрудничать с ATX в производстве устройств GaN автомобильного класса. С учетом того, что внедрение устройств GaN в автомобильном секторе, по прогнозам, ускорится в 2026 году, ROHM стремится обеспечить быстрое внедрение решений GaN автомобильного класса. Компания ROHM готова удовлетворить растущий спрос на высокопроизводительную технологию GaN в автомобилестроении следующего поколения, укрепляя эти стратегические партнерские отношения наряду с собственными разработками.