Чтобы диверсифицировать свою цепочку поставок SiC-материалов и получить более доступные источники SiC, Infineon Technologies заключила контракт с китайским поставщиком карбида кремния (SiC) SICC. В соответствии с контрактом, SICC обеспечит двузначную долю долгосрочного ожидаемого спроса на 150-миллиметровые пластины и були, используемые при производстве полупроводников SiC, для немецкого производителя полупроводников.

На первом этапе партнерства основное внимание будет уделено 150-миллиметровому материалу SiC, но поставки материала SICC SiC также помогут Infineon перейти на пластины диаметром 200 миллиметров. В целом, это будет способствовать быстрому расширению рынка новых полупроводниковых материалов SiC и поможет стабилизировать цепочку поставок, особенно учитывая растущий спрос на полупроводниковую продукцию SiC для автомобильных, солнечных и электромобильных зарядных устройств, а также систем накопления энергии на китайском рынке.

Чтобы достичь своей цели — занять 30% мирового рынка к концу десятилетия, Infineon активно наращивает производственные мощности по производству SiC. К 2027 году производственные мощности Infineon по производству SiC увеличатся в десять раз. Infineon увеличит свои производственные мощности в Филлахе, Австрия, к 2024 году за счет открытия нового завода в Кулиме, Малайзия. В настоящее время Infineon обслуживает более 3600 автомобильных и промышленных клиентов по всему миру полупроводниками из карбида кремния.