Nexperia выпустила свои первые полевые транзисторы power GaN в конфигурации e-mode (режим улучшения) для приложений с низким (100/150 В) и высоким (650 В) напряжением. Nexperia теперь предлагает дизайнерам лучший выбор полевых транзисторов GaN от одного поставщика в дополнение к значительному набору компонентов силовой электроники на основе кремния, расширив ассортимент cascode семью новыми устройствами e-mode.

Пять полевых транзисторов GaN e-mode напряжением 650 В от Nexperia теперь доступны в корпусах DFN 5 × 6 мм и DFN 8×8 мм со значениями R _{DS (вкл.)} в диапазоне от 80 Мом до 190 Мом. В высоковольтных и маломощных (650 В) системах передачи данных/телекоммуникаций, зарядных устройствах для потребителей, солнечных батареях и промышленных установках они повышают эффективность преобразования энергии. Они также могут создавать микросервисные приводы и бесщеточные двигатели постоянного тока с большей точностью, крутящим моментом и мощностью.

Nexperia также предоставляет устройство напряжением 150 В (7 Мом) в формате FCLGA и 100 В (3,2 Мом) в формате Полевой транзистор GaN в исполнении WLCSP8. Эти компоненты подходят для различных приложений с низким напряжением (150 В) и высокой мощностью, таких как более эффективные преобразователи постоянного тока в центрах обработки данных, более быстрая зарядка (e-mobility и USB-C), приемопередатчики LiDAR меньшего размера, аудиоусилители класса D с низким уровнем шума и более мощные-плотная потребительская электроника, такая как смартфоны, ноутбуки и игровые консоли.

Во многих приложениях для преобразования энергии полевые транзисторы GaN обладают высочайшей энергоэффективностью при наименьших размерах решения, что значительно снижает стоимость материалов. Таким образом, устройства GaN проникают на более широкий спектр рынков силовой электроники, таких как серверные вычисления, промышленная автоматизация, бытовая электроника и телекоммуникационная инфраструктура. Устройства на базе GaN обладают большей эффективностью в приложениях преобразования малой и высокой мощности и обладают самыми быстрыми возможностями перехода/коммутации (самые высокие значения dv/dt и di/dt-dt-di/dt-di/dt). Чрезвычайно низкие значения Qg и QOSS полевых транзисторов Nexperia e-mode GaN отвечают за их исключительную производительность переключения, а низкий уровень RD _{(вкл.) позволяет использовать более энергоэффективные} конструкции.

С выпуском этого продукта Nexperia может предложить широкий ассортимент продуктов GaN FET для удовлетворения различных потребностей в электропитании с использованием наиболее подходящей технологии. Эти продукты включают в себя каскодные устройства для высоковольтных и мощных применений, устройства в электронном режиме напряжением 650 В для высоковольтных и маломощных применений и устройства в электронном режиме напряжением 100/150 В для низковольтных и мощных применений. Полевые транзисторы Nexperia e-mode GaN соответствуют требованиям JEDEC для промышленного применения и производятся на 8-дюймовой пластинчатой линии для увеличения производительности. Решение компании расширить ассортимент устройств GaN свидетельствует о приверженности Nexperia высококачественному кремнию и широкополосным технологиям.