Компания Navitas Semiconductor анонсировала пятое поколение высокоскоростных силовых диодов GeneSiC из карбида кремния (SiC) для требовательных центров обработки данных, промышленных электроприводов, солнечных батарей и потребительских приложений.

Объединенные контактные диоды Шоттки с номинальным напряжением 650 В имеют отличительную контактную структуру Шоттки, обеспечивающую “низкое встроенное смещение напряжения” (“низкое колено”) для максимальной эффективности при любых условиях нагрузки и большей долговечности. Приложения для коррекции коэффициента мощности (PFC) включают промышленные электроприводы, солнечные инверторы, ЖК-телевизоры/ LED-телевизоры, осветительные приборы и серверные/ телекоммуникационные источники питания.

Уникальная конструкция GeneSiC MPS обеспечивает наименьшее падение прямого напряжения (_Vf) всего на 1,3 В, максимальную устойчивость к перенапряжению по току (I _FSM) и наименьшие потери при переключении, не зависящие от температуры. Он также сочетает в себе лучшие характеристики как штыревых, так и диодных структур Шоттки. Технология тонких чипов Navitas увеличивает рассеивание тепла и сводит к минимуму затраты на работу кулера. Впервые эти диоды GeneSiC доступны в низкопрофильном корпусе QFN для поверхностного монтажа.

MPS-диоды Gen 5 напряжением 650 В обеспечивают лучшую в своем классе надежность, долговечность и высокую устойчивость к перенапряжениям по току и лавинным воздействиям, благодаря 100%-ным производственным испытаниям avalanche (UIL), что обеспечивает надежную работу в чувствительных приложениях.

MPS-диоды серии GExxMPS06x подходят для применений мощностью от 300 до 3000 Вт и различных схем, таких как PFC в режиме постоянного тока в игровых консолях. Они имеют мощность от 4 до 24 А и выпускаются в различных упаковках для поверхностного монтажа (QFN, D2-PAK) и со сквозными отверстиями (TO-220, TO-247). Пакет TO-247-3 обеспечивает превосходную гибкость для чередующихся топологий PFC с высокой плотностью мощности и уменьшенным количеством материалов благодаря своей архитектуре с “общим катодом».