600007 г. Владимир, ул. 16 лет Октября, д. 68А, литер "Ф", этаж 2, помещение 12
+7 (4922) 53-10-31
info@skb-proton.ru

STMicroelectronics IPO Innoscience GaN

Технологии силовой преобразовательной техники

Innoscience, полупроводниковая компания, специализирующаяся на технологии нитрида галлия, подписал инвестиционное соглашение как часть его планируемое первичное публичное размещение акций (IPO) на Главное правление Гонконгской фондовой биржи.Эта ссылка указывает на то, что Innoscience планирует разместить листинг на Гонконгской фондовой бирже 30 декабря 2024 года.

Несмотря на то, что Innoscience и ее партнеры не публикуют никаких официальных заявлений, согласно этому документу, Innoscience утверждает: “Мы заключили инвестиционные соглашения cornerstone с инвесторами cornerstone, а именно STMicroelectronics Limited, Фондом реформы смешанной собственности государственного предприятия Цзянсу, Специальным материнским фондом для индустрии высокотехнологичного оборудования Цзянсу Сучжоу и Suzhou Dongfang Chuanglian Investment Management Co.” Краткое описание сроков указано в документе. Документ об IPO.

Реклама параллаксера идет здесь

Соглашение официально организует стратегические альянсы с ключевыми инвесторами и совместными спонсорами, закладывая основу для крупного предложения по всему миру. STMicroelectronics, выступающая в качестве краеугольного инвестора, взяла на себя обязательство подписаться на значительную часть акций Innoscience H. Совместные спонсоры, China International Capital Corporation Hong Kong Securities Limited и CMB International Capital Limited, выступают в качестве общих координаторов и посредников на рынке капитала.

Соглашение соответствует нормативной базе, установленной Комиссией по регулированию ценных бумаг Китая, Гонконгской фондовой биржей и другими соответствующими органами, обеспечивая прозрачность и защиту инвесторов.

Согласно проспекту ценных бумаг, тот IPO период подписки (биржевой код: 2577) на акции Innoscience H — с 18 по 23 декабря 2024 года. Компания установила диапазон цен IPO от 30,86 до 33,66 гонконгских долларов за акцию. Компания планирует выпустить 45,364 млн акций H по всему миру, при этом около 4 млн акций будут предложены в Гонконге и около 45 млн акций на международном уровне, а также возможность дополнительного размещения на 15%.

Инвестиции STMicroelectronics подчеркивают решительную поддержку Инновационная наукапотенциал компании на мировом рынке полупроводников. Сотрудничество подчеркивает растущую важность технологий GaN в силовой электронике, обусловленную требованиями к повышению эффективности в автомобилестроении, бытовой электронике и промышленном применении.

Золотой трек стоимостью в миллиард долларов с огромным потенциалом

ГаН отличается превосходными эксплуатационными характеристиками по сравнению с традиционными полупроводниковыми материалами. Помимо большей запрещенной зоны, GaN может похвастаться низким сопротивлением включению, большой подвижностью электронов и низкой частотой переключения. Эти преимущества настоятельно поощряют его внедрение в нескольких областях. Кроме того, широкая запрещенная зона GaN позволяет ему стабильно работать при более высоких напряжениях; его большая подвижность электронов значительно увеличивает мощность привода по току и скорость отклика, снижая потери тепла и повышая общую энергоэффективность.

Продукты GaN power semiconductor быстро внедряют быструю зарядку для интеллектуальных устройств, автомобильных зарядных устройств и центров обработки данных благодаря своей высокой частоте, низким потерям и экономической эффективности. Это положило начало периоду экспоненциального развития сектора GaN.

По оценкам Frost & Sullivan, с учетом роста в среднем на 98,5% в период с 2024 по 2028 год объем рынка, как ожидается, превысит 6,8 миллиарда долларов к 2028 году, поскольку внедрение разнообразных приложений растет во многих сферах. Таким образом, к тому времени на долю GaN power semiconductors должно приходиться 10,1% мировой промышленности силовых полупроводников.

Двумя основными факторами, стоящими за развитием, являются электромобили и бытовая электроника. Мы ожидаем, что растущее использование GaN в быстрых зарядных устройствах и адаптерах с среднегодовым показателем 71,1% приведет к росту рынка бытовой электроники до 2,9 миллиарда долларов к 2028 году. Отражая экстраординарный среднегодовой показатель в 216,4%, увеличение проникновения и стоимости одного автомобиля в секторе электромобилей поможет рынку GaN достичь 3,4 миллиарда долларов к 2028 году.

Мировое лидерство и китайское производство

Хотя полупроводниковая продукция GaN имеет широкий спектр применений, освоение этой области требует времени и усилий.

Пять крупнейших мировых компаний по производству силовых полупроводников, как правило, используют парадигму IDM, контролируя весь процесс от проектирования до производства и тестирования. Однако этот подход также имеет строгие технические критерии, значительные первоначальные затраты и высокие барьеры для входа в отрасль.

Стремясь создать производственную базу GaN, объединяющую проектирование, исследования и разработки, производство и продажи, Innoscience с самого начала выбрала модель IDM в этом контексте. Две производственные базы компании по производству 8-дюймовых GaN на основе кремния находятся в Сучжоу и Чжухае, Китай.Ежемесячная производственная мощность выросла с 10 000 пластин в конце 2023 года до 12 500 пластин по состоянию на 30 июня 2024 года, укрепив позиции компании как ведущего производителя устройств GaN в мире.

В соответствии с соглашением, Innoscience готова инициировать свое IPO, используя приобретенные средства для увеличения производственных мощностей, ускорения исследований и разработок в области полупроводников GaN и расширения своего глобального присутствия. Этот стратегический альянс делает Innoscience одним из основных участников быстро меняющейся полупроводниковой отрасли. В будущем также важно будет учитывать продолжающиеся споры с EPC и Infineon. Анализ этих споров включен в документ.