
В этом году мы освещали много новостей о нитриде галлия, карбиде кремния и всех последних разработках в области электромобилей и энергосистем. Вот список из 10 лучших новостей, получивших наибольшее количество отзывов.
Infineon получила немецкую премию в области устойчивого развития 2025
Infineon Technologies AGhas получила немецкую премию в области устойчивого развития в категории “Электротехника и электроника”. Комментарий судей указывает на то, что, по их мнению, Infineon заняла видное место в области устойчивого развития, выступая в качестве “маяка” для эффективных преобразований в секторе. Немецкая премия в области устойчивого развития присуждается компаниям, которые вносят значительный и выдающийся вклад в перемены и служат образцом для подражания в своей отрасли.
Navitas анонсирует первый в мире источник питания для центров обработки данных AI мощностью 8,5 кВт, работающий на базе GaN и SiC
Компания Navitas Semiconductor представила первый в мире блок питания (PSU) мощностью 8,5 кВт для искусственного интеллекта нового поколения и гипермасштабируемых центров обработки данных. Этот блок питания работает на основе технологий GaN и SiC, что обеспечивает КПД 98%. Переход блока питания на трехфазную топологию как для PFC, так и для LLC, в отличие от двухфазных топологий, используемых конкурирующими блоками питания, обеспечивает самый низкий в отрасли переходный ток и электромагнитные помехи (EMI).
Allegro MicroSystems выпускает два новых широкополосных датчика тока на основе технологии XtremeSense TMR
Компания Allegro MicroSystems Inc. представила два датчика XtremeSense TMR, которые оптимизируют конструкцию с высокой плотностью энергопотребления, что приводит к сокращению пространства и затрат наряду с повышением энергоэффективности. В центрах обработки данных искусственного интеллекта и автомобильных двигателях самые последние предложения Allegro, CT455 и CT456, обеспечивают исключительную пропускную способность и минимальный уровень шума, облегчая точные измерения тока.
Microchip анонсирует три гибких и масштабируемых эталонных дизайна зарядных устройств EV
Надежность и производительность зарядных устройств EV имеют решающее значение для обеспечения широкого признания на мировом рынке. Производители электромобилей уделяют приоритетное внимание разработке долговечных, устойчивых к атмосферным воздействиям и удобных в использовании зарядных устройств для электромобилей.Компания Microchip Technology анонсировала три эталонных дизайна зарядных устройств, чтобы ускорить вывод зарядного устройства EV на рынок. Эти конструкции включают в себя однофазное зарядное устройство переменного тока для жилых помещений, трехфазное коммерческое зарядное устройство переменного тока с протоколом открытой точки зарядки (OCPP) и системой на чипе, а также трехфазное коммерческое зарядное устройство переменного тока с OCPP и дисплеем.
Onsemi приобретет технологический бизнес SiC JFET и дочернюю компанию United Silicon Carbide у Qorvo
Onsemihas объявила о соглашении о покупке технологического бизнеса SiC JFET, включая дочернюю компанию United Silicon Carbide, у Qorvo за 115 миллионов долларов наличными. Приобретение расширит обширный портфель элитных источников питания onsemi и позволит бизнесу удовлетворить спрос на высокую энергоэффективность и плотность мощности на этапе переменного/ постоянного тока.Блоки питаниядля центров обработки данных искусственного интеллекта. Кроме того, эта инициатива ускорит подготовку onsemi к растущим рынкам, включая устройства для отключения аккумуляторов EV и твердотельные автоматические выключатели.
VisIC Technologies и AVL наладили партнерство, достигнув эффективности >99,6% в GaN-инверторах для электромобилей
VisIC Technologies, мировой лидер в области технологии GaN для электромобилей, и AVL, ведущий партнер по разработке передовых программных и аппаратных решений, рады объявить о партнерстве, направленном на совершенствование высокоэффективных инверторных технологий GaN для сектора электромобилей. Это партнерство обеспечит производителей автомобилей силовыми полупроводниками, которые превосходят SiC по производительности, обеспечивая при этом снижение цен как на уровне устройств, так и на системном уровне.
В ходе недавнего тестирования, проведенного на современном оборудовании AVL в Германии, инвертор, основанный на компонентах VisIC GaN-on-silicon D3GaN, продемонстрировал выдающуюся производительность. Установленная на испытательном стенде AVL e-motor и управляемая алгоритмом управления SOP eDrive от AVL, система достигла контрольного уровня эффективности в 99,67% при частоте 10 кГц, поразительно увеличившись до более чем 99,8% при частоте 5 кГц, что превосходит аналогичные инверторы SiC до 0,5% и сокращает потери энергии на более 60%.
Würth Elektronik выпускает новые ферритовые кольца, предназначенные для применения в электромобилях
Компания Würth Elektronikhas представила феррит WE-OEFA-LFS, ферритовое кольцо овальной формы, предназначенное для подавления низкочастотных помех. Благодаря своей характерной овальной конфигурации ферритовое кольцо облегчает легкое скольжение по шинам для уменьшения помех. Состав марганцево-цинковой сердцевины делает его идеальным для подавления низкочастотных помех. Основной областью применения нового феррита являются электромобили.
Сертифицированный WE-OEFA–LFS AEC-Q200 разработан для применения в системах с высоким током и работает в диапазоне температур от -40°C до 105°C и частот от 1 до 100 МГц. Это позволяет ферриту снижать электромагнитные помехи в системах управления аккумуляторами (BMS), инверторах, бортовых зарядных устройствах, кабельных жгутах и различных других приложениях.
Компания Innoscience представляет новое поколение решений для систем управления аккумуляторами (BMS) с двунаправленной технологией VGaN™ напряжением 100 В
Компания Innoscience Technology представила новое поколение BMS-решений с технологией VGaN. Возросшее стремление к удобным, экологичным путешествиям, мобильным накопителям энергии и компактным решениям для электроснабжения стимулировало стремительный рост рынка. Достижения в технологии BMS необходимы для повышения безопасности и эффективности работы аккумуляторных батарей. Технология GaN способствует этому, повышая КПД, плотность мощности и тепловые характеристики, тем самым повышая общую эффективность преобразования энергосистем. Благодаря отсутствию паразитного диода в корпусе и возможности двунаправленного управления, одно двунаправленное устройство (VGaN) от Innoscience может эффективно заменить две обычные пары МОП-кремния. Серия VGaN от Innoscience обеспечивает эти преимущества для защиты от перенапряжения и систем BMS.
STMicroelectronics представила силовые МОП-транзисторы SiC Gen4, разработанные специально для тяговых инверторов следующего поколения EV
STMicroelectronics запускает свое четвертое поколение технологии SiC-МОП-транзисторов STPOWER. Технология поколения 4 устанавливает новые стандарты энергоэффективности, удельной мощности и долговечности. Новая технология специально разработана для тяговых инверторов, являющихся важным компонентом силовых агрегатов, и в то же время удовлетворяет требованиям как автомобильного, так и промышленного рынков. Компания намерена внедрять дополнительные сложные разработки в области технологии SiC до 2027 года, стремясь к инновациям.
EPC представляет малогабаритный 50-вольтовый GaN-полевой транзистор для приложений USB-C PD
Компания Efficient Power Conversion (EPC) анонсировала устройство питания EPC2057 напряжением 50 В и 8,5 Мом. Этот полевой транзистор GaN специально разработан для удовлетворения растущих потребностей мощных устройств USB-C, в том числе используемых в бытовой электронике, зарядке в автомобиле и мобильности. Основные характеристики и преимущества EPC2057 можно резюмировать следующим образом:
- Высокая эффективность: Новый 50-вольтовый полевой транзистор GaN обладает сверхнизким сопротивлением при включении — 8,5 Мом, что существенно снижает потери мощности и повышает общую эффективность.
- Компактная конструкция: Благодаря своим небольшим размерам он представляет собой оптимальное решение для приложений с ограниченным пространством, позволяя разрабатывать более компактные и эффективные адаптеры питания и устройства.
- Быстрое переключение: Технология GaN обеспечивает повышенную скорость переключения, что приводит к увеличению удельной мощности и уменьшению габаритов пассивных компонентов, таких как катушки индуктивности, конденсаторы и трансформаторы. Следовательно, это приводит к разработке более компактных и легких конструкций.
Свежие комментарии