РЕМТехнология сверхвысокоскоростных управляющих микросхем обеспечивает максимальную производительность GaN и других высокоскоростных коммутационных устройств. В то время как в последние годы широкое распространение получили устройства GaN благодаря их превосходным характеристикам высокоскоростного переключения, быстродействие управляющих микросхем, которые отвечают за управление этими устройствами, стало сложной задачей.

Компания ROHM продолжила разработку своей сверхскоростной технологии импульсного управления Nano Pulse Control™. Она разработана для источник питания Микросхемы, что позволило значительно увеличить длительность управляющего импульса с обычных 9 нс до лучших в отрасли 2 нс. Использование этой технологии позволило компании ROHM разработать технологию сверхскоростных управляющих микросхем, которая максимально повышает производительность устройств GaN.

При миниатюризации схемы питания необходимо уменьшить размер периферийных компонентов за счет высокоскоростной коммутации. Для достижения этой цели требуется управляющая микросхема, которая может использовать преимущества быстродействующих коммутационных устройств, таких как устройства GaN.

Чтобы предложить решения, включающие периферийные компоненты, компания ROHM разработала технологию микросхем сверхвысокого быстродействия, оптимизированную для устройств из нитрида галлия, использующих запатентованную технологию аналогового питания Nano Pulse Control™.

В настоящее время ROHM работает над коммерциализацией микросхем управления, использующих эту технологию, и планирует начать поставку образцов микросхем управления 100 В 1 канал постоянного тока во второй половине 2023 года. Ожидается, что использование в сочетании с устройствами ROHM GaN (серия EcoGaN™) приведет к значительной экономии энергии и миниатюризации в различных областях применения, включая базовые станции, центры обработки данных, оборудование для автоматизации производства и дроны.

Новая технология микросхем управления ROHM включает в себя технологию Nano Pulse Control™. Она разработана путем объединения передовых аналоговых знаний в области проектирования схем, процессов и компоновки с использованием вертикально интегрированной производственной системы ROHM. Это значительно сокращает минимальную длительность управляющего импульса управляющей микросхемы с обычных 9 нс до 2 нс, используя уникальную конфигурацию схемы, что позволяет перейти от высокого напряжения до 60 В к низкому напряжению до 0,6 В с помощью одной микросхемы питания в приложениях 24 В и 48 В. Кроме того, поддержка периферийных компонентов привода меньшего размера для высокочастотной коммутации устройств GaN уменьшает площадь монтажа примерно на 86% по сравнению с традиционными решениями в сочетании со схемой питания EcoGaN™.