На АТЭС-2023, Системы GaNкомпания представила новый эталонный дизайн встроенного зарядного устройства (OBC) мощностью 11 кВт/800 В с на 36% большей удельной мощностью и на 15% меньшей стоимостью по сравнению с транзисторами из карбида кремния (SiC).

Эта система мощностью 11 кВт/800 В является новаторской, поскольку в ней используются GaN-транзисторы в OBC напряжением 800 В. В OBC используется трехуровневая топология «летающих конденсаторов» для безмостовой тотемно-полюсной структуры PFC и двойного активного моста в сетях переменного/постоянного тока и DC/DC/DC, соответственно, что обеспечивает высокую плотность мощности и низкую стоимость спецификации. Улучшенная коммутационная способность трехуровневой топологии вдвое снижает напряжение на транзисторах, позволяя использовать недорогой GaN 650 В в этом и других приложениях с напряжением 800 В.

Основные особенности конструкции OBC

• Удельная мощность на 36% выше по сравнению с карбидом кремния
• Пиковый КПД каскада переменного/постоянного тока>99%, пиковый КПД каскада постоянного/пост. тока>98,5%
• Меньшая общая потеря мощности полупроводника
• Сведение к минимуму звона затвора, снижение уровня шума и дребезжания при переключениях
• Улучшенные тепловые характеристики за счет использования интерфейса IMS

Силовые полупроводники GaN снижают потери при переключении и рассеивании мощности, повышая эффективность OBC. OBC более энергоэффективен и экономичен благодаря уменьшенным потерям энергии во время зарядки электромобилей. Эффективность решения сводит к минимуму сложность проектирования системы охлаждения и затраты. Компактная и эффективная конструкция OBC позволяет сэкономить место и вес для других компонентов электромобиля.