Химикат Шин-Эцу Компания Co., Ltd. разработала 300-миллиметровый (12-дюймовый) QST^тм подложка, специально разработанная для эпитаксиального выращивания GaN. Недавно были представлены отдельные образцы этой подложки.

Компания Shin-Etsu Chemical успешно вывела на рынок QST^тм подложки диаметром 150 мм (6 дюймов) и 200 мм (8 дюймов), а также GaN на эпитаксиальных подложках QST указанных диаметров. Кроме того, компания сосредоточилась на расширении диаметра, чтобы удовлетворить высокий спрос клиентов, и успешно создала QST диаметром 300 мм (12 дюймов) субстрат.

Производители устройств GaN не могут воспользоваться преимуществами увеличения диаметра материалов из-за нехватки подложек большого диаметра, подходящих для выращивания GaN, даже если они могут использовать существующую линию по производству Si для GaN. Эпитаксиальный рост GaN на этом 300-миллиметровом QST^тм подложка получается без деформаций и трещин, что ранее было невозможно для подложек из кремния, что приводит к существенному снижению цен на устройства. Помимо постоянного совершенствования оборудования для 150-мм и 200-мм QST^тм субстраты, Shin-Etsu Chemical сосредоточится на крупномасштабном производстве 300-миллиметрового QST^тм субстраты.

Эквивалентность коэффициента теплового расширения между QST^тм подложки и GaN позволяют ограничить деформацию и трещины в эпитаксиальном слое GaN на QST^тм подложки стандартной толщины SEMI. Этот материал подложки позволяет формировать толстую и высококачественную эпитаксиальную пленку GaN значительного диаметра. Благодаря этой характеристике многие клиенты высоко оценивают производительность QST^тм подложки и GaN на QST^тм эпитаксиальные подложки для устройств питания, высокочастотных устройств и светодиодов. Учитывая сложную деловую обстановку, клиенты приступили к разработке, чтобы эффективно удовлетворить растущий спрос на устройства питания, в частности источник питания для центров обработки данных.

Внедрение 300-мм QST^тм использование подложек диаметром 150 мм и 200 мм позволяет значительно ускорить производство устройств GaN. Компания Shin-Etsu Chemical стремится содействовать созданию устойчивого общества, стратегически используя устройства GaN для оптимизации использования энергии.

На выставке SEMICON TAIWAN, которая пройдет в Тайбэе, Тайвань, с 4 по 6 сентября 2024 года, Shin-Etsu Chemical намерена продемонстрировать свой 300-миллиметровый QST^тм субстрат.