Полупроводниковый прибор Navitas компания только что представила линейку полевых транзисторов третьего поколения на основе карбида кремния, металла, оксида и полупроводника (SiC MOSFET), предназначенных для применения в автомобилестроении. Эти МОП-транзисторы доступны в комплектациях D2PAK-7L (TO-263-7) и TOLL (TO-Leadless) для поверхностного монтажа (SMT).

Запатентованная компанией Navitas технология «trench-assisted planar» обеспечивает исключительную производительность в широком диапазоне температур и обеспечивает быструю работу в режиме охлаждения для зарядки электромобилей (EV), тяги и инверторного преобразования постоянного тока. Технология Gen-3 Fast SiC обеспечивает срок службы в три раза больший, чем у других продуктов SiC, в условиях высоких нагрузок на электромобили (EV), при этом температура корпуса на 25 °C ниже, чем у традиционных устройств.

Быстродействующие МОП-транзисторы 3-го поколения специально разработаны для достижения максимальной скорости переключения, максимальной эффективности и повышенной удельной мощности в электромобилях, включая компрессоры переменного тока, обогреватели салона, Преобразователи постоянного тока в постоянный, а также бортовые зарядные устройства (OBC). Специализированный центр проектирования электромобилей Navitas продемонстрировал самые современные решения для систем OBC, позволяющие достичь выходной мощности до 22 кВт при удельной мощности 3,5 кВт/литр и КПД выше 95,5%.

Новые быстродействующие МОП-транзисторы Gen-3 напряжением 650 В рассчитаны на работу от аккумуляторов напряжением 400 В и демонстрируют номинальную мощность RDS (ON) в диапазоне от 20 до 55 Мом. Диапазон 1200 В, оптимизированный для систем напряжением 800 В, составляет от 18 до 135 Мом.

Как SiC-МОП-транзисторы напряжением 650, так и 1200 В соответствуют стандартам AEC Q101 в стандартной упаковке SMT D2PAK-7L (TO-263-7). Для электромонтажных устройств напряжением 400 В комплект TOLL для поверхностного монтажа напряжением 650 В обеспечивает снижение теплового сопротивления соединения с корпусом на 9% (RTH, J-C), на 30% меньшую площадь печатной платы, на 50% меньшую высоту и на 60% меньшие габариты по сравнению с D2PAK-7L. Это облегчает внедрение решений с очень высокой плотностью энергопотребления, в то время как минимальная индуктивность корпуса, составляющая около 2 нН, гарантирует исключительную скорость переключения и минимальные потери в динамике.

Подходящие для автомобильной промышленности семейства МОП-транзисторов G3F SiC напряжением 650 В и 1200 В в комплектациях D2PAK-7L и TOLL для поверхностного монтажа доступны для покупки немедленно.