Компания Infineon Technologies AG Компания Infineon подтвердила успешную разработку первой в мире технологии изготовления пластин из нитрида галлия толщиной 300 мм (GaN). Infineon стала первой фирмой в мире, успешно внедрившей эту революционную технологию на устоявшемся и расширяемом крупносерийном производстве. Это значительное событие значительно простимулирует рынок электроэнергии полупроводники на основе нитрида галлия (GaN). Изготовление чипов на пластинах диаметром 300 мм технологически лучше и значительно эффективнее, чем на пластинах диаметром 200 мм, поскольку при увеличении диаметра пластины количество чипов на одной пластине увеличивается в 2,3 раза.

Силовые полупроводники из нитрида галлия (GaN) быстро находят применение в различных отраслях, таких как промышленность, автомобилестроение, бытовое, компьютерное и коммуникационное оборудование, источники питания для систем искусственного интеллекта (ИИ), солнечные инверторы, зарядные устройства и адаптеры, а также системы управления двигателями. Передовые технологии производства GaN повышают производительность устройств, что дает преимущества конечным пользователям за счет оптимизации производительности, уменьшения габаритов, веса и общей стоимости. Кроме того, использование 300-миллиметрового производства гарантирует оптимальную стабильность поставок клиентам за счет масштабируемости.

На своем заводе в Филлахе, Австрия, компания Infineon успешно освоила производство пластин GaN толщиной 300 мм на интегрированной экспериментальной линии в рамках существующего оборудования для производства кремния толщиной 300 мм. Компания использует свой обширный опыт в уже существующем производстве кремния толщиной 300 мм и GaN толщиной 200 мм. Infineon расширит свои мощности по производству GaN в соответствии с требованиями рынка. Внедрение производства GaN толщиной 300 мм позволит Infineon оказывать влияние на расширяющийся рынок GaN, который, по прогнозам, достигнет нескольких миллиардов долларов США к концу десятилетия.

Неотъемлемым преимуществом технологии 300 мм GaN является возможность использования современного оборудования для производства кремния толщиной 300 мм, поскольку нитрид галлия и кремний имеют заметное сходство в принципах производства. Современные линии Infineon по производству кремния диаметром 300 мм в больших объемах хорошо подходят для тестирования высоконадежной технологии GaN, обеспечивая быстрое внедрение и эффективное использование капитальных ресурсов. После полного масштабирования производство GaN толщиной 300 мм приведет к равенству затрат на GaN с кремнием на уровне RDS (on), что указывает на равенство затрат на аналогичные изделия из Si и GaN.

В ноябре 2024 года Infineon представит широкой аудитории первые 300-миллиметровые пластины GaN на выставке electronica trade в Мюнхене.