Полупроводниковый прибор Navitas компания расширила свой новый ассортимент «быстрых» МОП-транзисторов Gen-3 (G3F) напряжением 650 В, включив в него термически улучшенный, долговечный, высокоскоростной корпус для поверхностного монтажа TOLL (Transistor Outline Leadless). Этот комплект специально разработан для сложных, мощных и высоконадежных применений.

Эти полупроводниковые МОП-транзисторы напряжением 650 В обеспечивают как высокую мощность, так и наилучшее низкое сопротивление при включении в диапазоне от 20 до 55 Мом. Они были специально разработаны для обеспечения максимальной скорости переключения, высочайшей эффективности и повышенной плотности мощности, необходимых для таких приложений, как источники питания центров обработки данных с искусственным интеллектом, зарядка электромобилей, накопители энергии и солнечные решения (ЭСС).

В продуктах GeneSiC компании Navitas используется уникальная плоская технология «траншееобразования», которая обеспечивает исключительную эффективность в широком диапазоне температур. МОП-транзисторы G3F в этих изделиях обеспечивают высокую скорость работы и охлаждение, что позволяет снизить температуру корпуса на 25 °C и продлить срок службы в три раза по сравнению с другими изделиями из SiC.

В новейшем эталонном проекте системы электропитания от Navitas используется МОП-транзистор G3F SiC G3F45MT60L (650 В, 40 Мом, TOLL) с чередующейся топологией CCM-TP PFC с выходной мощностью 4,5 кВт. Решение мощностью 4,5 кВт, в состав которого входит микросхема питания GaNSafe™ NV6515 (650 В, 35 Мом, TOLL) на этапе LLC, обеспечивает максимальную эффективность в 97%. Обладая плотностью мощности 137 Вт/дюйм3, в настоящее время это блок питания искусственного интеллекта с самой высокой плотностью мощности в мире. Технология G3F, разработанная компанией TOLL, хорошо подходит для бортовых зарядных устройств (OBC), преобразователей постоянного тока в постоянный и тяговых приводов с выходной мощностью от 6,6 до 22 кВт, специально разработанных для аккумуляторных систем EV напряжением 400 В.

Пакет TOLL для поверхностного монтажа обеспечивает снижение теплового сопротивления соединения с корпусом на 9% (RTH, J-C), уменьшение площади печатной платы на 30%, уменьшение высоты на 50% и уменьшение размера на 60% по сравнению со стандартным пакетом D2PAK-7L. Это позволяет разрабатывать системы с высокой плотностью энергопотребления, примером чего является решение AI мощностью 4,5 кВт. Кроме того, благодаря минимальной индуктивности корпуса, составляющей около 2 нН, мы можем добиться выдающихся характеристик быстрого переключения и минимизировать динамические потери.