Цифровая микроэлектроника компания STPOWER выпускает четвертое поколение МОП-транзисторов на основе карбида кремния (SiC). Технология поколения 4 устанавливает новые стандарты энергоэффективности, плотности мощности и долговечности. Новая технология специально разработана для тяговых инверторов, являющихся важным компонентом электромобиль (EV) силовых агрегатов, а также удовлетворяющих требованиям как автомобильного, так и промышленного рынков. Компания намерена внедрять дополнительные сложные разработки в области технологии SiC до 2027 года, стремясь к инновациям.

Являясь мировым лидером в производстве мощных МОП-транзисторов SiC, компания ST продвигает инновации, позволяющие использовать превосходную эффективность SiC и повышенную плотность мощности по сравнению с кремниевыми устройствами. Нынешнее поколение устройств SiC предназначено для улучшения будущих платформ тяговых инверторов EV, включая увеличение размеров и энергоэффективности. Несмотря на расширение рынка электромобилей, сохраняются препятствия на пути их массового внедрения, что вынуждает производителей сосредоточиться на производстве более экономичных электромобилей.

Системы привода автобусов электромобилей напряжением 800 В, использующие карбид кремния, облегчили процесс зарядки и снизили вес автомобиля, что позволило производителям создавать роскошные версии с увеличенным запасом хода. Новейшие МОП-транзисторы SiC от ST, предлагаемые в классах 750 В и 1200 В, повысят энергоэффективность и производительность шинных тяговых инверторов EV напряжением 400 В и 800 В, расширяя преимущества SiC для среднеразмерных и компактных электромобилей, что имеет решающее значение для массового внедрения на рынок. Технология SiC последнего поколения подходит для многочисленных мощных промышленных применений, таких как солнечные инверторы, системы хранения энергии и центры обработки данных, что значительно повышает энергоэффективность в этих расширяющихся областях применения.

Компания ST завершила квалификацию в классе 750 В для своей технологической платформы SiC четвертого поколения и планирует завершить квалификацию в классе 1200 В к первому кварталу 2025 года. Устройства с номинальным напряжением 750 В и 1200 В вскоре появятся в продаже, что позволит разработчикам адаптировать их к различным областям применения — от обычных сетевых напряжений переменного тока до высоковольтных аккумуляторов и зарядных устройств для электромобилей. Пятое поколение силовых устройств ST SiC будет оснащено новой технологией высокой плотности мощности, использующей плоскую конструкцию. Компания ST одновременно продвигает инновационную разработку, гарантирующую исключительные значения RDS(on) сопротивления включению при повышенных температурах, а также дополнительное снижение RDS(on) по сравнению с современными технологиями SiC.