600007 г. Владимир, ул. 16 лет Октября, д. 68А, литер "Ф", этаж 2, помещение 12
+7 (4922) 53-10-31
info@skb-proton.ru

Infineon и AWL-Electricity совместно работают над повышением мощности беспроводной связи с использованием силовых полупроводников из нитрида галлия (GaN)

Технологии силовой преобразовательной техники

Компания Infineon Technologies AG наладил сотрудничество с AWL-Electricity Inc., канадской компанией, которая впервые применила технологию передачи электроэнергии с резонансной емкостной связью на частоте МГц. CoolGaN™ GS61008P от Infineon позволяет AWL-E разрабатывать передовые решения для беспроводного питания, решая проблемы с энергоснабжением в различных отраслях промышленности.

В рамках сотрудничества усовершенствованная технология нитрида галлия (GaN) от Infineon объединена с новаторской системой передачи энергии AWL-E с резонансной емкостной связью на частоте 2 МГц, что обеспечивает лучшую в отрасли беспроводную энергоэффективность. Технология GaN-транзисторов Infineon обеспечивает превосходную эффективность и плотность мощности при работе на повышенных частотах переключения. Это позволяет AWL-E продлить срок службы своей системы, сократить время простоя и эксплуатационные расходы, а также повысить удобство использования для потребителей. Эта технология способствует повышению качества интерьера и динамики сидений в автомобильном бизнесе. В промышленных системах она обеспечивает практически неограниченную гибкость конструкции, особенно для автономных управляемых транспортных средств и роботизированный приложения. Кроме того, этот метод обеспечивает полностью герметичную конструкцию системы, устраняя необходимость в портах для зарядки и, следовательно, сокращая использование аккумуляторов во всем мире.

Infineon утверждает, что интеграция AWL-E с дополнительными возможностями показывает, как характеристики GaN, в частности его работа на частотах МГц, революционизируют потенциальные области применения силовых транзисторов, что приводит к созданию более экологичных и высокопроизводительных продуктов.

Infineon является пионером на рынке силовых полупроводниковых приборов и в настоящее время единственным производителем, обладающим обширным ассортиментом продукции и технологий, включающим кремниевые (включая МОП-транзисторы SJ и IGBT), карбидокремниевые (включая диоды Шоттки и МОП-транзисторы) и устройства на основе нитрида галлия (HEMT в электронном режиме). Это портфолио включает в себя простые матрицы, дискретные элементы и модули.