Вот подборка обязательных к прочтению новостей этого месяца о материалах SiC, GaN и Wide Bandgap!
Новости SiC
Дополнения Toshiba к линейке SiC-барьерных диодов Шоттки третьего поколения напряжением 1200 В позволят повысить эффективность промышленного энергетического оборудования
Корпорация Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Тошиба”) представила линейку 1200-вольтовых диодов Шоттки третьего поколения из карбида кремния (SiC) серии TRSxxx120Hx, предназначенных для промышленного применения, включая фотоэлектрические инверторы, зарядные станции для электромобилей и импульсные источники питания. Компания Toshiba начала поставки десяти новых продуктов этой серии, пять из которых представлены в упаковке TO-247-2L и пять — в упаковке TO-247.
Серия TRSxxx120Hx включает в себя устройства напряжением 1200 В, использующие усовершенствованную архитектуру Toshiba с барьерным соединением Шоттки (JBS) на базе SiC SBD третьего поколения напряжением 650 В. Использование нового металла в соединительном барьере позволяет новым изделиям получать лучшее в отрасли типовое прямое напряжение в 1,27 В при небольшом суммарном емкостном заряде и уменьшенном обратном токе. Это существенно снижает потери электроэнергии в оборудовании с более высокой мощностью.
Toshiba будет продолжать расширять ассортимент своих устройств SiC power и повышать эффективность, чтобы свести к минимуму потери электроэнергии в промышленных силовых установках.
Последние обновления 6-дюймовых производственных линий для производства полупроводниковых приборов третьего поколения
Многочисленные 6-дюймовые производственные линии недавно добились заметного прогресса, сосредоточившись на полупроводниковых материалах третьего поколения, таких как карбид кремния (SiC) и оксид галлия (Ga2O3).
21 сентября компания NEXIC объявила об успешном завершении производства первой партии полупроводниковых пластин на своем заводе. Компания NEXIC специализируется на технологических инновациях и разработке продуктов для силовых устройств и силовых модулей SiC, которые являются компонентами полупроводниковых приборов третьего поколения. Строительство объекта, расположенного в Цзяньине, провинция Цзянсу, Китай, началось в августе 2023 года, а установка оборудования запланирована на август 2024 года.
В отчетах указывается, что проект NEXIC по производству 6-дюймовых силовых полупроводниковых приборов предполагает совокупные инвестиции в размере 2 млрд юаней. Продукция применяется в электромобилях, фотоэлектрической энергетике, железнодорожном транспорте и связи 5G. Ожидается, что после выхода завода на полную мощность его производственная мощность составит 1 миллион пластин в год.
10 сентября компания Fujia Gallium приступила к разработке 6-дюймовой линии для выращивания монокристаллических и эпитаксиальных пластин из оксида галлия в Фуяне, Ханчжоу.
Основанная в 2019 году, компания Fujia Gallium занимается коммерциализацией полупроводниковых материалов из оксида галлия со сверхширокополосной структурой, уделяя особое внимание выращиванию монокристаллов оксида галлия, а также разработке, производству и продаже подложек из оксида галлия и эпитаксиальных пластин. Их продукция в основном используется в силовых устройствах, микроволновых радиочастотных установках и оптоэлектронном детектировании.
Сообщается, что Fujia Gallium является единственной компанией в Китае, специализирующейся как на выращивании 6-дюймовых монокристаллов, так и на эпитаксии. Этот проект знаменует собой открытие первой в Китае линии по производству 6-дюймовых монокристаллов оксида галлия и эпитаксиальных пластин.
4 сентября компания RIR Power Electronics Limited объявила о завершении строительства своего завода по производству полупроводников из карбида кремния в Одише, Индия, с общим объемом инвестиций в 5,1 миллиарда индийских рупий.
RIR является дочерней компанией американской Silicon Power Group в Индии, специализирующейся на производстве силовых электронных компонентов. Ассортимент продукции RIR включает в себя устройства малой и высокой мощности и IGBT-модули для таких отраслей, как энергетика, транспорт, возобновляемые источники энергии и оборона.
В июле 2023 года Silicon Power Group объявила о создании завода SiC в Одише, Индия, специализирующегося на производстве 6-дюймовых пластин SiC. Инвестиции были осуществлены через ее индийскую дочернюю компанию RIR. В октябре 2023 года RIR получила разрешение от правительства штата Одиша на инвестирование 5,108 млрд индийских рупий в проект, который, как ожидается, будет полностью введен в эксплуатацию к 2025 году.
Наряду с RIR, компания SiCSem Private Limited со штаб-квартирой в Ченнаи объявила в июне о своем намерении построить завод по производству, сборке, испытаниям и упаковке карбида кремния (SiC) в Одише, Индия.
15 июня SiCSem заключила соглашение о сотрудничестве с Индийским технологическим институтом Бхубанешвара (IIT-BBS) для проведения исследований в области сложных полупроводников. Их первое совместное предприятие направлено на локализацию выращивания кристаллов SiC в IIT-BBS, сосредоточив усилия на массовом производстве 6-дюймовых и 8-дюймовых пластин SiC с предполагаемыми инвестициями в размере 450 миллионов индийских рупий (около 38 миллионов юаней).
onsemi выпускает модернизированные силовые модули для увеличения выработки и накопления солнечной энергии
Компания onsemi представила новейшее поколение гибридных силовых интегрированных модулей из кремния и карбида кремния (PIMS) в корпусе F5BP, оптимально разработанных для повышения выходной мощности сетевых солнечных инверторов или систем накопления энергии (ESS). По сравнению с предыдущими поколениями, модули обеспечивают повышенную плотность мощности и превосходную эффективность при тех же габаритных размерах, что позволяет увеличить общую мощность системы солнечных инверторов с 300 кВт до 350 кВт. Солнечная электростанция коммунального масштаба мощностью в один гигаватт (ГВт), использующая новейшие генерирующие модули, может обеспечить экономию энергии более чем на два мегаватта (МВт) в час, что эквивалентно ежегодному энергоснабжению более 700 домохозяйств. Кроме того, для достижения эквивалентного порогового значения мощности предыдущего поколения требуется меньшее количество модулей, что позволяет снизить цены на компоненты устройств питания более чем на 25%.
Солнечная энергетика достигла самой низкой себестоимости энергии (LCOE), что делает ее предпочтительным источником возобновляемой энергии во всем мире. Чтобы снизить колебания солнечной энергии, операторы коммунальных служб внедряют крупномасштабные аккумуляторные системы накопления энергии (BESS) для обеспечения постоянного энергоснабжения сети. Производителям и коммунальным службам необходимы решения, которые обеспечивают оптимальную эффективность и надежное преобразование энергии, чтобы облегчить интеграцию систем. Каждое повышение эффективности на 0,1% может привести к ежегодной эксплуатационной экономии в размере 250 000 долларов США на каждый гигаватт установленной мощности.
В состав F5BP-PIMs входят 1050-вольтовый IGBT-транзистор FS7 и 1200-вольтовый диод D3 EliteSiC, что обеспечивает преобразование мощности при высоком напряжении и сильном токе, минимизируя рассеиваемую мощность и повышая надежность. IGBT-транзисторы FS7 демонстрируют минимальные потери при отключении и снижают потери при переключении на целых 8%, в то время как диоды EliteSiC обеспечивают улучшенные характеристики переключения и на 15% снижают мерцание напряжения по сравнению с предыдущими моделями.
Компания Yokogawa Test&Measurement выпускает компактные осциллографы высокой четкости серии DLM3000HD
Компания Yokogawa Test & Measurement Corporation объявила о выпуске миниатюрных осциллографов высокой четкости серии DLM3000HD. Серия DLM3000HD, представляющая собой усовершенствованную версию серии DLM3000, расширяет ассортимент осциллографов Yokogawa за счет внедрения моделей с частотной полосой пропускания, работающих на частотах 500 МГц и 350 МГц. Эти модели обеспечивают превосходное разрешение для более точного анализа формы сигнала и оснащены функциями, которые повышают удобство использования и упрощают настройку.
Серия DLM2000, представленная компанией Yokogawa в 2008 году, и ее преемница, серия DLM3000, представленная в 2018 году, завоевали значительную популярность среди производителей электротехнических и мехатронных устройств благодаря своим эффективным возможностям анализа с помощью четырехканальных осциллографов со смешанным сигналом. Тем не менее, учитывая растущее в последние годы внимание к стратегиям, направленным на сокращение выбросов углекислого газа в обществе, крайне важно повысить энергоэффективность двигателей и инверторов, используемых в транспортной отрасли, а также изделий, связанных с чистой энергией, таких как оборудование для выработки солнечной энергии. Эта потребность особенно остро ощущается в секторе силовой электроники, где растущее число применений и производство передовых силовых устройств с использованием технологии карбида кремния (SiC) повышают спрос на все более высокую точность измерений. Серия DLM3000HD, обладающая многоканальными измерительными возможностями и улучшенным разрешением по вертикальной оси, эффективно удовлетворяет этим требованиям.
Компания Nissan Ion Equipment участвует в программе Университета Арканзаса [Музыка]
Было объявлено о партнерстве между компанией Nissan Ion Equipment Co., Ltd., дочерней компанией Nissan Electric Co., Ltd., специализирующейся на производстве и продаже ионных имплантеров для полупроводников и дисплеев с плоскими панелями малого и среднего размера (FPDS), и многопользовательской научно-исследовательской компанией по карбиду кремния. Производственный центр (музыкальный центр) в Университете Арканзаса в Соединенных Штатах.
Силовые устройства из карбида кремния (SiC) будут играть решающую роль в широком спектре технологических применений, включая производство солнечной энергии, электромобили (XEVS) и общую электронику. Это можно объяснить отличительными характеристиками, в частности, эффективностью, долговечностью и термостойкостью.
MUSiC станет первым общедоступным центром, специализирующимся на разработке инновационных силовых полупроводниковых технологий и интегральных схем. Эти инновации послужат основой для создания новых предприятий по всему миру, чему будут способствовать производственные возможности и оснащение SiC devices. Этот центр предоставляет исследователям и корпорациям платформу для создания прототипов, демонстрации и проектирования устройств. Кроме того, он предназначен для обучения студентов и подготовки будущих лидеров в высококвалифицированном полупроводниковом сообществе. Многие ведущие производители устройств питания SiC в Соединенных Штатах, а также другие малые и средние предприятия (МСП), не имеющие опыта работы, либо объявили, либо рассматривают возможность своего участия в этой инициативе.
Компания Nissan Ion участвовала в разработке и производстве ионных имплантеров серии IMPHEAT, предназначенных для высокотемпературной обработки SiC. Компания была одним из пионеров в области производства устройств питания из SiC. Компания Nissan Ion поставит MUSiC оборудование IMPHEAT-II и в 2025 году начнет трехлетнюю программу совместных исследований в партнерстве с MUSiC, что позволит нам приобрести более широкий опыт в области ионной имплантации, необходимый для создания передовых устройств. Внедрение силовых полупроводниковых приборов с улучшенными характеристиками в оборудование нового поколения будет эффективно способствовать созданию устойчивого общества, обеспечивая более чистую и недорогую энергию. Следовательно, это приведет к снижению энергопотребления.
Vanguard и Episil создадут 8-дюймовую фабрику для чипов SiC
Vanguard International Semiconductor Corp. и Episil Technologies Inc. объявили о своем намерении сотрудничать в строительстве 8-дюймового производственного комплекса для производства чипов из карбида кремния (SiC). Это сотрудничество будет реализовано в рамках соглашения о приобретении доли участия.
Чипы из карбида кремния (SiC) обладают более высокой эффективностью и меньшим рассеиванием энергии по сравнению с чипами из чистого кремния, а также позволяют работать при повышенных температурах. Эти технологии стали незаменимыми для развития электромобилей, центров обработки данных с искусственным интеллектом, систем хранения возобновляемой энергии и промышленного оборудования.
Vanguard, контрактный производитель микросхем, специализирующийся на чипах управления питанием и интегральных схемах-драйверах для дисплеев, приобретет 13-процентную долю в Episil за 2,48 миллиарда новозеландских долларов (77,1 миллиона долларов США).
Инновации на рынке карбида кремния, изученные в рамках исследования «Рост, Аналитика и Обзор» за 2024-2033 годы
Отчет об исследовании рынка карбида кремния, подготовленный компанией Business Research, содержит данные о размере мирового рынка, темпах роста, долях в регионах, анализе конкурентов, подробных сегментах, тенденциях и возможностях.
По прогнозам, в ближайшие годы объем рынка карбида кремния будет расти в геометрической прогрессии. При совокупном годовом темпе роста (CAGR) в 17,0% к 2028 году он, по прогнозам, достигнет 5,05 миллиардов долларов. Рост в прогнозируемые сроки можно объяснить увеличением производства электромобилей, разработкой широкополосных полупроводников для повышения энергоэффективности, распространением средств связи 5G и радиочастотных устройств, развитием солнечных инверторов и систем управления питанием, интеграцией квантовых технологий и сверхпроводников, а также внедрением кремниевых технологий в производство. силовые устройства для промышленного применения. Основные разработки, которые будут разработаны в течение прогнозируемого периода, включают технологию «кремний на изоляторе» (sicoi) для интегральных схем, кремниевые подложки для приложений, требующих высокой плотности мощности, оптические устройства и датчики на основе кремния, кремниевые композиционные материалы для аэрокосмической промышленности, компоненты квантовых вычислений на основе кремния и кремниевые силовые модули для объединения сетей.
ROHM и UAES подписали долгосрочное соглашение о поставках устройств питания SiC
ROHM Semiconductor и United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. (UAES), известный китайский поставщик автомобильной техники, только что подписали долгосрочный контракт на поставку устройств питания из карбида кремния (SiC).
С 2015 года ROHM и UAES осуществляют обширное техническое сотрудничество и обмены, ориентированные на автомобильные приложения, в которых используется технология устройств питания SiC. Сотрудничество еще более укрепилось в 2020 году, когда в штаб-квартире UAES в Шанхае, Китай, был создан Объединенный исследовательский институт SiC. В 2021 году передовые устройства питания и периферийные компоненты ROHM из SiC прошли тщательную оценку UAES, в результате чего компания ROHM была выбрана в качестве предпочтительного поставщика.
Тесное и продолжительное технологическое сотрудничество привело к разработке и использованию нескольких автомобильных устройств, использующих технологию ROHM SiCs, включая бортовые зарядные устройства и инверторы для электромобилей. Силовые устройства из карбида кремния (SiC) необходимы для повышения эффективности и быстродействия многих систем, тем самым увеличивая запас хода и снижая требования к размеру батареи.
Силовая электроника для электромобилей на 2025-2035 годы: технологии, рынки и прогнозы
В данной статье представлен обзор рынка силовой электроники для электромобилей, в котором основное внимание уделяется использованию полупроводниковых МОП-транзисторов в инверторе, бортовом зарядном устройстве и преобразователе постоянного тока в постоянный. Анализ охватывает широкий спектр технологий — от 200-миллиметровых пластин (8 дюймов) до современных тенденций в производстве оригинального оборудования для автомобилей (OEM-производителей). Проводится анализ внедрения GaN в автомобильной промышленности, а также анализ перспективных технологий. IDTechEx прогнозирует развитие отрасли силовой электроники, основываясь на уровнях напряжения (600 В, 1200 В) и типах технологий (Si, SiC, GaN).
Ожидается, что в ближайшие десять лет спрос на электромобили (EV) будет значительно расти, а рынок силовой электроники для электромобилей еще больше ускорит этот рост. Чтобы устранить опасения потребителей в отношении электромобилей с аккумуляторными батареями (BEV) по сравнению с двигателями внутреннего сгорания, производители оригинального автомобильного оборудования (OEM-производители) ищут способы увеличить максимальный запас хода и ускорить процесс зарядки. Кроме того, помимо аккумуляторных батарей и моторных технологий, полупроводники с широкой запрещенной зоной (WBG), такие как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN), могут преобразовать силовые агрегаты электромобилей (EV), заменив существующие кремниевые IGBT и MOSFET-транзисторы на 800 В и существенно повысив эффективность.
Более дешевые SiC и высоковольтные GaN с использованием инженерных подложек
SiC (карбид кремния) и GaN (нитрид галлия) постоянно сталкиваются с трудностями, несмотря на ажиотаж вокруг их потенциального использования в силовой электронике электромобилей. В целом, производители оборудования, поставщики первого уровня и аналитики рынка сходятся во мнении, что SiC и GaN в конечном итоге составят конкуренцию традиционным технологиям Si, однако точная дорожная карта и временные рамки по-прежнему остаются неопределенными.
Инженерные подложки — это относительно новая разработка, которая, как ожидает IDTechEx, повысит общую производительность, объемные возможности и стоимость. В отчете IDTechEx “Силовая электроника для электромобилей на 2025-2035 годы: технологии, рынки и прогнозы” оцениваются потенциальные преимущества и препятствия использования инженерных подложек при производстве силовой электроники для электромобилей, такие как производительность, масштабируемость и объемы производства.
Нанкин, Китай, впервые добился прорыва в производстве ключевых полупроводниковых чипов
После четырех лет независимых исследований Национальный инновационный центр полупроводниковых технологий третьего поколения (Нанкин) успешно разработал важнейшую технологию для производства МОП-транзисторов из карбида кремния (SiC) траншейного типа, о чем сообщается в пресс-релизе Nanjing. Благодаря преодолению ограничений по производительности, присущих чипу planar SiC MOSFET, эта разработка представляет собой первое достижение такого рода в Китае.
Карбид кремния (SiC) является ярким примером полупроводникового материала с широкой запрещенной зоной, отличающегося широкой запрещенной зоной, сильным электрическим полем критического пробоя, высокой скоростью насыщения электронами и превосходной теплопроводностью. В современной области применения микросхем SiC MOSFET существуют две основные структуры SiC MOSFET — плоская и траншейная.
Плоская SiC-МОП-структура отличается простотой использования, превосходной однородностью элементов и достаточно высокой лавинной энергией. Тем не менее, устройство сталкивается с проблемой эффекта JFET, который возникает, когда ток ограничен небольшой N-областью вокруг P-элемента. Это ограничение приводит к увеличению входного сопротивления и значительной паразитной емкости.
Конструкция желоба представляет собой процесс встраивания затвора в подложку для создания вертикального канала. Такая конфигурация обеспечивает более высокую плотность ячеек, устраняет эффект JFET, повышает подвижность канала и существенно снижает сопротивление включению по сравнению с плоской геометрией. Тем не менее, процесс образования траншей является более сложным, характеризуется меньшей однородностью ячеек и меньшей энергией схода лавин.
Фабрика по производству 8-дюймовых пластин SiC, созданная совместно компаниями San’an и ST, скоро начнет производство
По сообщению Chongqing News Broadcast, проект San’an-ST, в который были вложены значительные средства в размере около 30 миллиардов юаней, близится к завершающей стадии завершения. По предварительным оценкам, завод по производству подложек начнет производство в этом месяце, то есть на два месяца раньше запланированного срока.
Инициатива, совместно реализуемая компаниями Chongqing San’an и ST, включает в себя завод по производству чипов и подложек, с особым акцентом на изготовление чипов и подложек SiC power. Планируется, что завод по производству подложек, который полностью финансирует San’an Semiconductor, будет производить 480 000 8-дюймовых SiC-подложек в год.
Предприятие по производству полупроводников, созданное в рамках сотрудничества между San’an Semiconductor и ST, нацелено на достижение годовой производственной мощности в 480 000 силовых микросхем SiC-МОП-транзисторов автомобильного класса.
Компания San’an, используя свою дочернюю компанию Hunan San’an, основала компанию Chongqing San’an специально для создания завода по производству подложек. Общий объем инвестиций завода составляет около 7 миллиардов юаней, которые в основном направлены на расширение производства подложек из SiC. Годовой объем производства компании составляет 480 000 8-дюймовых подложек SiC.
Компания San’an STMicroelectronics была основана в августе 2023 года в результате стратегического партнерства между Hunan San’an (51%) и ST (Китай) Investment (49%). Уставный капитал компании составляет 612 миллионов долларов США.
Общий объем инвестиций в это предприятие по производству полупроводников составляет 3,2 миллиарда долларов США, а годовой доход — 13,9 миллиарда юаней. Оно может производить 480 000 8-дюймовых SiC-МОП-транзисторов автомобильного класса в год.
Компания San’an сообщила, что в настоящее время проект находится на решающем этапе установки и ввода в эксплуатацию оборудования. Завод по производству подложек планируется ввести в эксплуатацию к концу августа, а завод по производству чипов, как ожидается, полностью заработает к концу ноября.
Новости GaN
Рынок полупроводниковых приборов GaN [2024-2032 гг.] Растущий объем торговли между Странами с формирующейся Рыночной Экономикой Открывает Новые возможности
Отчет GaN Semiconductor Devices Market 2024 содержит текущую и будущую технологическую и финансовую информацию об отрасли. Этот отчет о рынке полупроводниковых приборов GaN охватывает типы [GaN с SiC, GaN на сапфире, GaN на Si, GaN на AlN и другие], области применения [GaN с SiC, GaN на сапфире, GaN на Si, GaN на AlN и другие], а также данные о производителях, включая цену, выручку, валовую стоимость. маржа и распределение бизнеса. Эта информация помогает потребителям более эффективно ориентироваться в конкурентной среде. В ней представлены всесторонние исследования и анализ важнейших элементов индустрии полупроводниковых приборов GaN. В этом исследовании рассматриваются основные элементы, влияющие на расширение рынка полупроводниковых приборов GaN, включая динамику спроса и предложения, структуру цен, норму прибыли, производственные процессы и анализ цепочки создания стоимости.
Мировой рынок полупроводниковых приборов GaN оценивался в миллионы долларов США в 2021 году и, по прогнозам, достигнет этого показателя к 2030 году, при этом совокупный годовой темп роста (CAGR) составит xx% в период с 2021 по 2030 год. Цель исследования — определить, классифицировать и спрогнозировать рынок в зависимости от типа продукта, сферы применения и региона, а также выяснить переменные, влияющие на динамику рынка, включая политику, экономические условия, технологии и стратегии выхода на рынок.
Исследование охватывает размер рынка, условия добычи, сегментацию рынка, ценообразование и издержки, а также отраслевую среду. В исследовании рассматриваются элементы, способствующие росту отрасли, и характеризуются каналы сбыта. Статья начинается с обзора структуры производственной цепочки и описывает сегмент добычи. Кроме того, в отчете рассматриваются размеры рынка и прогнозы по различным географическим регионам, типам и сегментам конечного использования. В нем также представлен обзор рыночной конкуренции между ведущими конкурентами и представлены профили компаний. Кроме того, в отчете рассматриваются рыночные цены и характеристики каналов сбыта.
У этого полупроводника есть две стороны и множество одновременных функций
Полупроводники на основе нитрида галлия значительно улучшили высокочастотную и силовую электронику. Они преобразовали энергоэффективное светодиодное освещение. Однако ни одна полупроводниковая пластина не продемонстрировала возможности выполнять обе функции одновременно и эффективно.
Исследователи из Корнелльского университета совместно с командой из Польской академии наук создали первый двухсторонний чип, или “дуалтроник”, который одновременно объединяет фотонные и электронные функции. Это усовершенствование потенциально может привести к уменьшению размеров функциональных устройств, повышению энергоэффективности и снижению производственных затрат.
Статья команды “Использование обеих сторон полупроводниковых пластин Polar для функциональных устройств” была опубликована 25 сентября в журнале Nature. Соавторами статьи являются кандидаты наук Лен ван Дерзен и Юнгюн Ким.
Проектом руководили Дебдип Йена, профессор инженерного дела Дэвида Э. Берра в Школе электротехники и вычислительной техники и на факультете материаловедения и инженерной мысли, а также Хуэли Грейс Син, профессор электротехники и компьютерной техники Уильяма Л. Квакенбуша и материаловедения и инженерной мысли, оба из Cornell Engineering.
Нитрид галлия (GaN) отличается от полупроводников с широкой запрещенной зоной значительной электронной поляризацией вдоль оси кристалла, что приводит к заметным различиям физических и химических свойств каждой из его поверхностей. Галлиевая, или катионная, сторона продемонстрировала свою полезность для фотонных устройств, таких как светодиоды и лазеры, в то время как азотная, или анионная, сторона может быть использована для размещения транзисторов.
Лаборатория Jena-Xing стремилась создать работающее устройство, в котором транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) на одной стороне питает светодиоды на противоположной стороне — достижение, беспрецедентное для любого материала.
Использование обеих сторон полярных полупроводниковых пластин для функциональных устройств
В отличие от неполярных полупроводников, таких как кремний, нарушение инверсионной симметрии полупроводникового нитрида галлия с широкой запрещенной зоной (GaN) приводит к значительной электронной поляризации вдоль определенной оси кристалла. Две поверхности полупроводниковой пластины, ориентированные перпендикулярно полярной оси, обладают существенно различными физическими и химическими свойствами. За последние тридцать лет катионная (галлиевая) поверхность GaN использовалась в фотонных устройствах, включая светоизлучающие диоды (LED) и лазеры. В то время как катионная поверхность в основном используется в электрических устройствах, анионная (азотная) поверхность недавно продемонстрировала потенциал для транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT) из-за преимуществ неоднородности поляризации. В этом исследовании представлена технология дуалтроники, демонстрирующая возможность изготовления фотонных устройств на катионной поверхности и электрических устройств на анионной поверхности одной полупроводниковой пластины. Это позволяет использовать обе поверхности полярных полупроводников в рамках единой структуры, обеспечивая интеграцию электронных, фотонных и акустических свойств на противоположных сторонах одной и той же пластины, что значительно увеличивает функциональный потенциал этого новаторского семейства полупроводников.
Центр исследований штата Северная Каролина вложит 19 миллионов долларов в проекты «Рывка вперед»
Белый дом и Министерство обороны США объявили сегодня о начале финансирования в размере 19 миллионов долларов в течение первого года для четырех дополнительных проектов в рамках программы Commons Hub по микроэлектронике для широкополосных полупроводников (CLAWS), возглавляемой Университетом штата Северная Каролина.
Проекты были отобраны из более чем 100 предложений и направлены на повышение производительности транзисторов и переключателей, используемых в критически важных гражданских и военных технологиях, а также на повышение экономической конкурентоспособности и национальной безопасности США за счет продвижения к коммерциализации.
Передовые технологии — это передовые инновации, которые позволяют выигрывать войны в противостоянии с потенциальными противниками. Технологии “коммерческого опережения” — это технологии, которые превосходят существующие достижения и имеют решающее значение для экономической конкурентоспособности страны. Основные объекты гражданской инфраструктуры, такие как электросеть, центры обработки данных, телекоммуникационные и транспортные сети, часто имеют общие эксплуатационные требования с военными, что требует повышения производительности, эффективности и надежности. Новые жизненно важные технологии, такие как искусственный интеллект, квантовые вычисления и автономные автомобили, обладают значительными экономическими перспективами, а полупроводники с широкой запрещенной зоной выполняют важнейшую вспомогательную функцию.
Четырьмя отобранными проектами являются:
- Диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью для повышения производительности III-нитридных транзисторов
- Готовность к переходу на нитридное радиочастотное соответствие (T/R NITRO)
- Усовершенствованные высоковольтные переключатели из карбида кремния
- Усовершенствованные выключатели питания с использованием сшитого оксида галлия
Рынок мощных транзисторов из нитрида галлия (GaN) в США в разбивке по областям применения
Рынок мощных транзисторов из нитрида галлия (GaN) в США, разделенный по областям применения, демонстрирует разнообразие применения в различных отраслях промышленности. Благодаря своей высокой эффективности и компактным размерам GaN-транзисторы все чаще используются в источниках питания и адаптерах бытовой электроники, что позволяет удовлетворить потребность в более компактных и мощных устройствах. Автомобильная промышленность использует GaN-транзисторы в электрических и гибридных автомобилях для оптимизации управления энергопотреблением, что, следовательно, повышает срок службы аккумулятора и общую производительность автомобиля.
Телекоммуникационная инфраструктура значительно выигрывает от использования GaN-транзисторов, используемых в высокочастотных радиочастотных усилителях, что способствует развитию сетей 5G за счет повышения энергоэффективности и точности передачи сигнала. В промышленном секторе GaN-транзисторы используются в электроприводах, системах возобновляемой энергетики и промышленной автоматизации, повышая эффективность и снижая общие эксплуатационные расходы. Кроме того, GaN-транзисторы играют важную роль в инверторах для систем солнечной и ветровой энергетики, способствуя повышению эффективности преобразования и продвижению решений в области устойчивой энергетики.
Сервер искусственного интеллекта и человекоподобный робот — новые драйверы для индустрии GaN
Сектор центров обработки данных стал важнейшей областью для производителей GaN (нитрида галлия), стремящихся внедриться в индустрию силовой электроники. Следовательно, применение GaN на рынке энергоснабжения центров обработки данных достигло значительного прогресса. Примечательно, что бурное развитие технологий искусственного интеллекта способствовало нынешнему росту этого рынка.
В экосистеме искусственного интеллекта центры обработки данных предъявляют высокие требования как к скорости вычислений, так и к мощности. Согласно анализу TrendForce, платформа Blackwell от NVIDIA будет официально представлена в 2025 году, заменив текущую платформу Hopper. Он станет основным выбором NVIDIA для графических процессоров высокого класса, на долю которых приходится около 83% всех продуктов высокого класса.
Для использования одного графического процессора в высокопроизводительных серверах искусственного интеллекта, таких как B200 и GB200, может потребоваться более 1000 Вт электроэнергии.
Из-за растущих требований к энергопотреблению требования к мощности для каждой стойки центра обработки данных возрастут с 30-40 кВт до 100 кВт, что создаст существенные препятствия для систем электропитания центров обработки данных. Интеграция GaN с технологиями жидкостного охлаждения будет иметь решающее значение для повышения энергоэффективности центров обработки данных с искусственным интеллектом.
Учитывая увеличение энергопотребления микросхем, серверы должны стремиться к повышению плотности энергопотребления и эффективности.
Объем рынка МОП-транзисторов GaN в Северной Америке в 2024-2031 гг. и анализ по областям Применения
Рынок МОП-транзисторов на основе нитрида галлия (GaN) в Северной Америке разделен на сегменты в зависимости от области применения, которые представляют широкий спектр применения этой специализированной полупроводниковой технологии в нескольких секторах. Ключевой областью, оказывающей существенное влияние на спрос, является отрасль электроснабжения. Повышенная эффективность и удельная мощность МОП-транзисторов GaN делают их более предпочтительными в качестве источников питания по сравнению с традиционными альтернативами на основе кремния. Повышенная эффективность приводит к снижению энергопотребления и уменьшению физических размеров, что делает МОП-транзисторы GaN очень привлекательными для широкого спектра применений, включая бытовую электронику и промышленные системы электроснабжения.
Автомобильная промышленность — еще один важный сектор применения. Электромобили (EV), бортовые зарядные устройства и модули преобразования энергии — это те области применения, для которых автомобильный сектор Северной Америки использует МОП-транзисторы GaN. Выгодные характеристики МОП-транзисторов GaN, такие как повышенная скорость переключения и рабочие частоты, идеально соответствуют требованиям современной автомобильной электроники, что повышает эффективность и эксплуатационные характеристики транспортных средств.
Доктор Саймон Харт присоединяется к QPT в качестве советника правления
Доктор Саймон Харт назначен советником правления QPT, компании, специализирующейся на разработке электроприводов нового поколения на базе GaN. Он является руководителем высшего звена во многих технологических компаниях и является почетным доцентом и предпринимателем Ноттингемского университета.
Для решения проблем, связанных с работой GaN на сверхвысоких частотах, компания QPT разработала микроволновые решения для силовой электроники. Использование технологии qGaN позволяет GaN эффективно работать в широком диапазоне частот переключения от 1 МГц и выше, что приводит к значительной экономии электроэнергии. Например, это может снизить потери в электронике ЧРП электродвигателя до 80%. Это может существенно повлиять на снижение энергопотребления электродвигателей, которые становятся все более существенным источником выбросов CO2 и, следовательно, изменения климата.
QPT™, независимая компания по производству силовой электроники, была основана в Кембридже в 2019 году. Ее основной целью является разработка экономичных, производительных и высокопроизводительных решений, которые устраняют препятствия, связанные с проектированием транзисторов на нитриде галлия. Технология qGaN™ раскрывает потенциал GaN для существенного снижения энергопотребления в различных электрических устройствах.
СВЧ-усилитель мощностью 150 Вт
CMPA2935150S представляет собой монолитную микроволновую интегральную схему (MMIC), реализованную с использованием транзистора с высокой подвижностью электронов (HEMT) из нитрида галлия (GaN).
Нитрид галлия (GaN) обладает преимуществами по сравнению с кремнием или арсенидом галлия, такими как повышенное напряжение пробоя, повышенная скорость дрейфа электронов насыщения и улучшенная теплопроводность.
По сравнению с Si- и GaAs-транзисторами, GaN-транзисторы обеспечивают более высокую плотность мощности и более широкую полосу пропускания. В конструкции этого MMIC реализована двухкаскадная схема усилителя с реактивным согласованием, которая позволяет достичь высокой мощности и КПД при добавлении мощности в корпусе для поверхностного монтажа (QFN) размером 7 x 7 мм.
Рабочие характеристики в диапазоне частот от 2,9 до 3,5 ГГц при температуре 25°C обеспечивают незначительное усиление сигнала примерно на 31 дБ при выходной мощности 53 дБм.
Объем рынка субстратов GaN
В 2023 году рынок субстратов GaN оценивался в 241,4 млн долларов США, и, по прогнозам, среднегодовой темп роста (CAGR) составит 10% в период с 2024 по 2032 год. Лучшие электрические характеристики подложек из нитрида галлия (GaN), такие как более высокое напряжение пробоя, более высокая скорость переключения и меньшее сопротивление включению по сравнению с обычными кремниевыми подложками, делают их незаменимыми для силовой электроники.
Растущий спрос на энергоэффективные устройства питания в таких отраслях, как автомобилестроение, промышленная и бытовая электроника, стимулирует использование подложек GaN, поскольку они способствуют разработке более компактных, эффективных и отказоустойчивых решений для питания.
Китайское правительство настойчиво поощряет использование электромобилей (EV), применяя ряд стимулов, субсидий и строгих стандартов по загрязнению окружающей среды. Внедрение этих правил вынуждает автопроизводителей и поставщиков выделять ресурсы на развитие передовых технологий, таких как GaN, для соблюдения эксплуатационных критериев, повышения энергоэффективности и снижения общих расходов на транспортные средства. В частности, в августе 2023 года GaN Systems заключила партнерство с ACEpower, чтобы ускорить использование технологии GaN power в производстве электромобилей в Китае. Основной целью этого сотрудничества является повышение эффективности преобразования энергии и создание сложных интегрированных силовых модулей.
Рынок полевых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN FET) ожидает революционный рост
Оценка промышленного расширения мирового рынка полевых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN FET) в период с 2024 по 2030 год. В настоящем исследовании представлен всесторонний анализ ключевых характеристик рынка полевых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN FET). Исследование включает в себя несколько рыночных прогнозов относительно величины выручки, производства, совокупного годового темпа роста (CAGR), потребления, валовой прибыли, цены и других значимых переменных. Кроме того, в документе представлен всесторонний анализ будущих тенденций и развития рынка, а также выделены основные движущие и сдерживающие факторы для этой отрасли. Кроме того, в нем анализируются известные участники рынка в этом секторе, дается обзор их бизнеса, финансовая сводка и SWOT-анализ.
Основными игроками в настоящем докладе: Nexperia, Renesas Электроника, Infineon технологий, Transphorm, Panasonic электронные, Ган систем, эффективность преобразования энергии корпорации., Сан-Сиань Оптоэлектроника, полупроводниковые приборы, Тексас инструментс, Qorvo, pSemi корпорации, инфраструктуры, систем Toshiba & решения корпорации, Альфа и Омега полупроводника, НТТ передовые технологии, корпорация, компания Tektronix, на полупроводниковые, заранее полупроводниковых соединений, ул. микроэлектроники & Wolfspeed.
Новости ГВБ
RTX Raytheon разработает полупроводники со сверхширокополосной изоляцией для квантовой электроники и ультрафиолетовых лазеров
Программа UWBGS будет способствовать развитию и совершенствованию материалов и технологий производства со сверхширокополосной полосой пропускания для предстоящей революции в полупроводниковой электронике.
Военным исследователям США потребовалась разработка новых подложек для интегральных схем, слоев устройств, переходов и электрических соединений с низким сопротивлением для нового поколения полупроводников со сверхширокополосной связью. Решение было получено от RTX Corp.
13 сентября 2024 года представители Агентства перспективных исследовательских проектов Министерства обороны США (DARPA) в Арлингтоне, штат Вирджиния, объявили о заключении контракта на сумму 5,3 миллиона долларов с подразделением Raytheon, также расположенным в Арлингтоне, на проект сверхширокополосных полупроводников (СШП).
Программа UWBGS будет способствовать развитию и совершенствованию материалов и технологий производства со сверхширокополосной полосой пропускания для предстоящей революции в полупроводниковой электронике.
Технология сверхширокополосной защиты представляет собой новую категорию полупроводников для перспективных применений в радиочастотной и мощной электронике, электрооптике с глубоким ультрафиолетовым излучением, квантовой электронике и системах, требующих функционирования в экстремальных условиях.
UWBG заложат основу для создания технологичных и надежных высокопроизводительных устройств со сверхширокополосной связью, применяемых во многих военных и коммерческих секторах, включая мощные радиочастотные коммутаторы, радиочастотные усилители с высокой плотностью мощности, мощные радиочастотные устройства защиты, высоковольтные переключатели, высокотемпературную электронику и устройства глубокой очистки. ультрафиолетовые лазеры и светодиоды.
В рамках программы будут решаться важнейшие технические задачи, включая разработку высококачественных материалов со сверхширокополосной изоляцией, настройку их электрических свойств, изготовление гомо- и гетероструктур с четкими переходами и минимальной плотностью дефектов, а также создание электрических контактов со сверхнизким сопротивлением.
UWBGS разработает структуры для тестирования устройств, чтобы измерить улучшения в этих областях. Для достижения успеха в программе будут использованы последние достижения в области материалов со сверхширокополосной связью.
Университет штата Северная Каролина заказывает оборудование для ионно-лучевого травления у scia Systems
scia Systems GmbH, известная компания, специализирующаяся на производстве ультрасовременного ионно-лучевого и плазменного технологического оборудования для микроэлектроники, MEMS и прецизионной оптики, объявила о приобретении системы scia Mill 200 Университетом штата Северная Каролина (NCSU). Целью системы является обработка полупроводниковых материалов с широкой запрещенной зоной, включая карбид кремния и нитрид галлия, для облегчения работы силовых электронных устройств при значительно повышенных напряжениях, частотах и температурах, тем самым повышая их эффективность. Установка Scia Mill 200 будет развернута в недавно созданном региональном центре, известном как “Коммерческий прорыв в области широкополосных полупроводников” (CLAWS).
Ионно-лучевое травление (ИОПТ) — это чрезвычайно точный метод обработки поверхности. Подложка подвергается ускорению широким потоком ионов с положительным зарядом. Передавая свою кинетическую энергию, ионы вызывают выброс поверхностных атомов, что приводит к удалению вещества. Специализированные виды ионно-лучевого травления (IBE) включают реактивное ионно-лучевое травление (RIBE) и химически активированное ионно-лучевое травление (CAIBE), при которых используются химически активные газы для повышения селективности, изменения углов углубления или ускорения скорости травления.
Scia Mill 200 обеспечивает точное травление сложных многослойных материалов с исключительной однородностью при размерах пластин до 200 мм. Типичные области применения включают структурирование магнитной памяти (MRAM), датчиков, MEMS и составных полупроводников как в 2D, так и в 3D-формате.
Объем рынка широкополосных полупроводников вырастет на 1868 млн долларов США к 2030 году в среднем на 14,2% | Отчеты Valuates
Глобальный анализ возможностей и отраслевой прогноз развития рынка полупроводниковых приборов с широкой запрещенной зоной на период с 2024 по 2030 год с разбивкой по типам (подложки из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AIN) и другие) и областям применения (Силовые дискретные устройства, радиочастотные устройства, оптоэлектронные устройства).
Мировой рынок широкополосных полупроводниковых приборов оценивался в 800 миллионов долларов США в 2023 году и, как ожидается, достигнет 1868 миллионов долларов США к 2030 году, при этом совокупный годовой темп роста (CAGR) составит 14,2% в течение прогнозируемого периода 2024-2030 годов.
Рынок полупроводников с широкой полосой пропускания стремительно расширяется благодаря их важной роли в повышении эффективности и быстродействия силовой электроники. В отличие от традиционных полупроводников на основе кремния, материалы с широкой запрещенной зоной, такие как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN), обладают превосходными характеристиками, такими как повышенное сопротивление напряжению, более высокая скорость переключения и снижение потерь энергии. Их преимущества делают их незаменимыми для применения в телекоммуникациях, системах возобновляемой энергетики и электромобилях. Распространение полупроводников с широкой запрещенной зоной обусловлено продолжающимся переходом к энергоэффективным технологиям и растущей потребностью в высокопроизводительных электронных устройствах во многих отраслях промышленности.
Технология дистанционной эпитаксии и отдельно стоящих полупроводниковых мембран с широкой запрещенной зоной
Развитие искусственного интеллекта, технологий обработки больших объемов данных и электромобилей требует новой стратегии для решения проблем масштабирования, энергоэффективности и производительности технологий на основе кремния (Si), которые выходят за рамки закона Мура. Полупроводники с широкой запрещенной зоной, такие как GaN и SiC, вызвали значительный интерес в качестве дополнительной технологии из-за присущих им характеристик высокой подвижности носителей и высоких пробивных напряжений. Тем не менее, общие ограничения для широкого использования полупроводников с широкой запрещенной зоной включают масштабируемость, дорогостоящее производство и терморегулирование.
Для устранения этих препятствий были разработаны технологии дистанционной эпитаксии и двухмерного переноса слоев, которые в настоящее время внедряются в промышленных условиях для производства изолированных мембран на основе монокристаллических полупроводников. В этом ракурсе представлены современное состояние и проблемы производства мембран GaN и SiC с использованием технологии дистанционной эпитаксии, которая обеспечивает существенные преимущества за счет повторного использования пластин и высококачественного автономного синтеза эпислоев. Кроме того, мы изучаем потенциальные преимущества промышленного внедрения передовых мембранных технологий во многих областях, таких как гетерогенные интегральные схемы, энергосистемы и радиочастотные системы.
JEDEC публикует основной метод тестирования для устранения потерь энергии при переключении в широкополосных и кремниевых полупроводниковых силовых устройствах
Ассоциация твердотельных технологий JEDEC, ведущий орган в области разработки стандартов для сектора микроэлектроники, опубликовала JEP200: Методы тестирования потерь энергии при переключении, связанных с гистерезисом выходной емкости в полупроводниковых силовых устройствах. Стандарт JEP200, разработанный совместно подкомитетами JC-70.1 по нитриду галлия и JC-70.2 по карбиду кремния JEDEC, можно бесплатно загрузить с веб-сайта JEDEC.
Растущее распространение топологий преобразования мощности с плавным переключением потребовало точного измерения энергии, запасенной в выходной емкости силового устройства, поскольку эта энергия напрямую влияет на эффективность силовых преобразователей. JEP200, созданный в партнерстве с научными кругами, ориентирован на фундаментальное требование отрасли электроснабжения — точную оценку и количественное определение потерь энергии при переключении, вызванных гистерезисом выходной емкости в полупроводниковых силовых устройствах. В нем содержится исчерпывающая информация о тестовых схемах, методах измерений и алгоритмах извлечения данных. Данное руководство относится к широкозонным силовым полупроводникам, включая GaN и SiC, а также к кремниевым силовым транзисторам и диодам.
Шестой элемент выиграл программу СШПД Министерства обороны США
Управление микросистемных технологий DARPA четко определило свою цель в рамках инициативы UWBGS — продвигать разработку превосходных материалов со сверхширокополосной полосой пропускания (UWBG), включая подложки, слои устройств и переходы. Эти материалы, необходимые для разработки сложной электроники, такой как мощные радиочастотные переключатели, радиолокационные усилители и усилители связи, высоковольтные силовые переключатели, высокотемпературная электроника для экстремальных условий, светодиоды и лазеры глубокого ультрафиолетового излучения, поддерживают многомиллиардный рынок систем.
Замечательные характеристики алмаза, в том числе его химическая и радиационная инертность, высокая подвижность носителей, превосходная теплопроводность и широкая электронная ширина запрещенной зоны, делают его весьма перспективным для достижения исключительной производительности в полупроводниковых приборах при одновременном снижении общих размеров, веса и энергопотребления (SWaP).
E6 будет использовать свои специальные знания в области крупнотоннажного химического осаждения из газовой фазы (CVD) поликристаллических алмазов и высококачественного синтеза монокристаллов (SC) алмазов для разработки 4-дюймовых подложек из SC-алмаза для устройств в рамках инициативы UWBGS.
В рамках программы UWBGS компания Element Six установила партнерские отношения с мировыми лидерами в этой области. В число этих партнеров входят компания Orbray из Японии, известная своим опытом работы с алмазами на больших площадях (подробное объявление о партнерстве доступно здесь), компания Raytheon, лидер в области радиочастотных устройств GaN, компания Hiqute Diamond из Франции, известная своими знаниями в области дислокационной инженерии, а также Стэнфордский и Принстонский университеты в США, известные своими знаниями в области объемных материалов и характеристика обработки поверхности.
Используя сотрудничество с мировыми технологическими лидерами, UWBGS стремится расширить возможности алмазных инноваций, способствуя тем самым разработке нового поколения полупроводников со сверхширокополосной полосой пропускания.
Разработка аддитивных технологий для создания эффективных широкополосных перовскитных солнечных элементов с низкими потерями напряжения в холостом ходе
Использование высокопроизводительных перовскитовых солнечных элементов с широкой запрещенной зоной (WBG) в качестве самого верхнего слоя в тандеме перовскит/кремний или перовскит/перовскитный тандем солнечных элементов может устранить ограничение Шокли-Кейссера, наблюдаемое в однопереходных перовскитовых солнечных элементах (PSCS). Тем не менее, перовскиты ГВБ по-прежнему подвержены значительной безызлучательной рекомбинации и значительным потерям напряжения при разомкнутой цепи (Лос), что препятствует повышению производительности PSC. В этом исследовании мы включили йодид 3,3′-диэтилоксакарбо-цианина (DiOC2(3)) и различные функциональные группы (C=N, C=C, C-O-C, C-N) в растворы-предшественники перовскита. Цель состоит в том, чтобы эффективно пассивировать глубокие дефекты и уменьшить количество мест столкновений. Многофункциональные группы соединения DiOC2(3) образуют координационные комплексы со свободными ионами Pb2+ в симметричных местах, тем самым нейтрализуя вакансионные дефекты Pb. Это явление значительно подавляет безызлучательную рекомбинацию и обеспечивает значительную стабильность. Полученные результаты демонстрируют, что эффективность преобразования энергии (PCE) перовскитного солнечного элемента WBG с энергией 1,68 эВ, который имеет перевернутую структуру, заметно возросла с 18,51% до 21,50%. Кроме того, потери летучих органических соединений значительно снижаются до всего лишь 0,487 В. При температуре 25°C устройство без упаковки сохраняет 95% своей первоначальной эффективности преобразования энергии (PCE) после 500 часов работы в атмосфере азота (N2).
Выгорание из-за одного события в б— Иди2O3 Барьерный диод Шоттки, индуцируемый протоном высокой энергии
Однократное перегорание (SEB) может привести к необратимому повреждению оборудования и, в конечном счете, к необратимому отказу. В предыдущих исследованиях редко изучалось влияние поверхностного электрохимического барьера (SEB), индуцированного высокоэнергетическим протонным излучением в барьерном диоде Шоттки β-Ga2O3 (SBD), и фундаментальные механизмы до сих пор в основном неизвестны. Эмпирические данные свидетельствуют о том, что применение напряжения обратного смещения во время облучения играет решающую роль в определении выхода из строя β-Ga2O3 SBD. Введение напряжения обратного смещения 300 В значительно снижает плотность прямого тока (JF) по сравнению с облучением протонами с энергией 300 МэВ без смещения. Протон с энергией 300 МэВ создает в устройстве барьер спинового возбуждения (SEB), когда напряжение обратного смещения превышает 400 В.
Изображение поврежденного участка под сканирующим электронным микроскопом (СЭМ) показывает, что в устройстве для облучения образовались “пустоты”, вызванные плавлением материала Ga2O3. На основании результатов моделирования Geant 4 и TCAD, явление выгорания объясняется повышенной температурой кристаллической решетки внутри устройства. Эта температура является следствием имплантации вторичных частиц под действием высокого напряжения обратного смещения. С увеличением напряжения обратного смещения максимальная температура кристаллической решетки β-Ga2O3 SBD пропорционально увеличивается. При высоком напряжении обратного смещения локальная температура кристаллической решетки внутри устройства превышает температуру плавления материала Ga2O3, что приводит к разрушению твердого электролита (SEB).
Свежие комментарии