Главный полупроводник питания компания представила свой новый eSiC MOSFET напряжением 650 В, который призван обеспечить повышенную эффективность, повышенную плотность мощности, высокую надежность и долговечность в топологиях с жесткой и мягкой коммутацией.

Экспоненциальный рост искусственного интеллекта (AI) предъявляет высокие требования к центрам обработки данных, что приводит к значительному росту энергопотребления и стимулирует развитие передовой архитектуры центров обработки данных. Современные серверные блоки питания (БП) соответствуют стандарту 80 Plus Titanium, который предусматривает минимальный пиковый КПД в 96% при половинной нагрузке. eSiC-МОП-транзисторы Power Master Semiconductor напряжением 650 В используются для замены SJ-МОП-транзисторов в продвинутых топологиях, включая резонансные топологии PFC с тотемным полюсом и CLLC, благодаря их низким значениям RDS (ON), емкости и коэффициенту восстановления основного диода (QRR).

Полевые транзисторы (МОП-транзисторы) на основе карбида кремния (SiC), металл-оксид-полупроводник (MOSFET) напряжением 650 В позволяют создавать современные конструкции блоков питания (PSU), которые являются одновременно эффективными и компактными, а также эффективно решают проблемы, связанные с нагревом и электромагнитными помехами. Эти МОП-транзисторы обладают исключительными характеристиками коммутации и постоянным пороговым напряжением для параллельной работы, а также были тщательно оценены на предмет их способности противостоять лавинам.

Они демонстрируют значительное снижение потерь при переключении, минимальные скачки напряжения и снижение динамических потерь COSS, что повышает эффективность системы и общее энергосбережение. Эти преимущества делают их очень подходящими для широкого спектра применений в области преобразования энергии, таких как центры обработки данных с искусственным интеллектом, облачные серверы, телекоммуникационные источники питания 5G, системы управления двигателями, системы накопления энергии (ESS), системы солнечной энергетики, зарядки электромобилей и любые другие системы, требующие высокочастотной работы и повышения эффективности.

Компания Power Master Semiconductor стремится создавать передовые решения в области силовой электроники, которые способствуют повышению эффективности и экологичности. Внедрение этого eSiC MOSFET на 650 В означает значительный прогресс в разработке экологически чистых и более эффективных решений. Компания Power Master Semiconductor уверена, что МОП-транзистор eSiC напряжением 650 В окажет существенное влияние на развитие силовой электроники в будущем.