Маленькие полупроводники компания представила новую серию карбидов кремния (так) МОП-транзисторы и барьерные диоды Шоттки (SBD) в упаковке TSPAK на выставке и конференции PCIM Europe. Во время выставки в Нюрнберге, проходившей с 11 по 13 июня 2024 года, компания впервые представила широкий ассортимент интегрированных силовых модулей SiC.

Компания WeEn Semiconductor разработала новые устройства на МОП-транзисторах TSPAK и SBD-транзисторах для удовлетворения потребностей в эффективном и надежном управлении питанием в различных областях применения, включая зарядку автомобилей, бортовые зарядные устройства, солнечные инверторы и источники питания с высокой плотностью мощности. Новые модули SiC компании предоставляют широкий выбор конфигураций, обеспечивающих максимальную свободу проектирования. Эти модули хорошо подходят для многих применений, включая зарядку электромобилей, системы накопления энергии, фотоэлектрические инверторы, электроприводы, промышленные блоки питания и испытательное оборудование.

Устройства TSPAK изначально разрабатывались для использования в автомобильной промышленности. Эти устройства обладают уникальной особенностью, которая обеспечивает эффективное охлаждение с верхней стороны, а также низкое тепловое сопротивление. Такое сочетание обеспечивает улучшенные тепловые характеристики. Устранение теплового сопротивления, создаваемого печатной платой, повышает тепловое сопротивление соединения с окружающей средой на 16-19%. Это повышает надежность за счет увеличения числа циклов включения по сравнению с традиционным корпусом, а также обеспечивает повышенную плотность мощности, требуемую для компактных систем.

Уменьшенная индуктивность цепи и помехи от электромагнитной совместимости (ЭМС) способствуют повышению производительности и уменьшению потребности в фильтрации. TSPAK МОП-транзисторы компания WeEn Semiconductors предлагает три варианта напряжения: 650 В, 750 В и 1200 В. Сопротивление этих МОП-транзисторов варьируется от 12 Мом до 150 Мом. Контроллеры TSPAK SBD предлагаются в вариантах напряжения 650 В, 750 В и 1200 В с номинальным током от 10 А до 40 А.

Посетители выставки WeEn в павильоне 9, стенд 538, будут первыми, кто получит возможность ознакомиться с широким ассортиментом силовых модулей SiC, предлагаемых компанией. Силовые модули предлагают различные варианты топологии, такие как полумостовые, четырехкомпонентные, шестипакетные и MPPT-усилители. Они способны поддерживать напряжение в диапазоне от 650 В до 1200 В. В зависимости от выбранного варианта и конкретного дизайна модули могут включать в себя множество сложных функций, таких как синхронизированное распределение тока между микросхемами, встроенные датчики температуры, системы охлаждения сверху и новейшие технологии скрепления зажимами.