Маленькие полупроводники компания представила расширение своего ассортимента надежных и высокопроизводительных IGBT на PCIM Европа выставки и конференции. Новые устройства имеют номинальное напряжение 650 В и 1200 В. Они оснащены антипараллельным диодом с быстрым восстановлением и имеют очень низкие токи утечки. Они также демонстрируют отличные характеристики проводимости и коммутации при высоких и низких температурах перехода.

В новых IGBT используется усовершенствованная технология fine trench gate field-stop (FS), которая обеспечивает равномерное распределение электрического поля по всему устройству. Эта технология позволяет IGBT выдерживать большие пробивные напряжения и расширяет их возможности динамического управления. Эти устройства повысят эффективность в широком диапазоне схем преобразования энергии со средними и высокими частотами переключения за счет обеспечения наилучшего баланса между проводимостью и потерями при переключении, а также снижения уровня электромагнитных помех. (ЭМИ) дизайн.

Недавно представленные биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) обеспечивают номинальные значения напряжения и тока 650 В/75 А, 1200 В/40 А и 1200 В/75 а. Эти IGBT доступны в корпусах TO247 или TO247-4L, в зависимости от выбранного конкретного устройства. Все устройства будут работать при максимальной температуре соединения (Tj) 175°C и будут подвергнуты высоковольтному тестированию H3TRB (при высокой влажности, высокой температуре и высоковольтном обратном смещении) и 100%-ному тестированию HTRB (при высокой температуре обратного смещения) до достижения этого предела.

Новые IGBT WeEn предназначены для использования в солнечных инверторах, системах управления двигателями, источниках бесперебойного питания (ИБП) и сварочных установках. Положительный температурный коэффициент упрощает параллельную работу в тех областях, где требуется более высокая производительность. Наличие готовых штамповочных, дискретных и модульных вариантов изделий обеспечивает гибкость для широкого спектра целевых конструкций.