Полуфабрикат компания представила дискретные диоды Шоттки SiC напряжением 1700 В и сдвоенные диодные модули в своем ассортименте продукции QSiC™. Новые устройства соответствуют требованиям к размерам и мощности для ряда сложных применений, таких как импульсные источники питания (SMPS), источники бесперебойного питания (UPS), индукционные нагреватели, сварочное оборудование, преобразователи постоянного тока, солнечные инверторы и зарядные станции для электромобилей (EV).

Технология SiC-диодов Шоттки SemiQ на 1700 В обеспечивает отсутствие обратного тока восстановления и очень низкие потери при переключении. Эти диоды также обладают улучшенным терморегулированием, что снижает потребность в охлаждении. Следовательно, инженеры могут внедрять чрезвычайно эффективные и высокопроизводительные конструкции, которые снижают количество тепла, выделяемого системой, позволяя использовать радиаторы меньшего размера и, как следствие, сокращая затраты и занимаемую площадь. Все новые устройства способны быстро переключаться между различными рабочими температурами соединения (Tj) в диапазоне от -55 °C до 175 °C.

Дискретные диоды GP3D050B170X (с открытой головкой) и GP3D050B170B (в корпусе TO-247-2L) имеют максимальные прямые токи 110 А и 151 А соответственно. Конструкция устройства обеспечивает простую параллельную настройку, что повышает гибкость и масштабируемость для широкого спектра энергетических приложений.
Двухдиодные блоки GHXS050B170S-D3 и GHXS100B170S-D3 — это долговечные модули, которые поставляются в корпусе SOT-227. Максимальные прямые токи для каждого компонента составляют 110 А и 214 А соответственно.

Эти компоненты обеспечивают исключительную производительность на высоких частотах с низкими потерями и электромагнитными помехами (ЭМИ) эксплуатация. Повышайте энергоэффективность и надежность за счет снижения помех. Основными характеристиками этого изделия являются минимальная паразитная индуктивность, возможность работы при высоких температурах соединения, долговечность и простота монтажа, а также внутренняя изоляция корпуса (AIN), обеспечивающая отличную изоляцию и теплопроводность. Низкое тепловое сопротивление между соединением и корпусом обеспечивает эффективный отвод тепла, что гарантирует стабильность работы даже при высоких уровнях мощности. Параллельному подключению модулей способствует положительный температурный коэффициент (Tc) прямого напряжения (Vf).

Компания SemiQ заявляет, что эти недавно разработанные SiC-диоды напряжением 1700 В демонстрируют значительные достижения в области энергоэффективности и надежности. Диоды SemiQ QSiC™ имеют компактную и гибкую конструкцию, работают с низкими потерями и превосходно регулируют температуру. Эти диоды позволяют заказчикам разрабатывать передовые и высокопроизводительные решения, снижая при этом затраты и повышая общую эффективность системы. Все компоненты были подвергнуты испытаниям напряжением выше 1870 В и прошли лавинообразное тестирование с уровнем энергии до 1250 МДж.