Следующая станция компания объявила о том, что ее диод Шоттки на 650 В, 10 А из карбида кремния (SiC), который является лидером в своем классе, теперь доступен автомобильный сертифицированный (PSC1065H-Q) и доступный в двухконтактной упаковке (R2P) DPAK (TO-252-2). Это делает его подходящим для различных применений в электромобилях и других легковых автомобилях.

Кроме того, компания Nexperia расширила ассортимент SiC-диодов, представив устройства промышленного класса с номинальным током 6 А, 16 А и 20 А. Эти устройства доступны в вариантах комплектации TO-220-2, TO-247-2 и D2PAK-2, что обеспечивает большую гибкость конструкции. Эти диоды разработаны для удовлетворения требований высоковольтных и сильноточных применений, таких как импульсные источники питания, преобразователи переменного и постоянного тока, инфраструктура для зарядки аккумуляторных батарей, электроприводы, источники бесперебойного питания и фотоэлектрические инверторы для устойчивого производства энергии.

Структура этих устройств с объединенными выводами Шоттки (MPS) обеспечивает превосходные преимущества по сравнению с аналогичными конкурирующими SiC-диодами, особенно в плане исключительной устойчивости к импульсным токам. Сложность системы значительно снижается за счет устранения необходимости в дополнительных защитных схемах. Это позволяет разработчикам аппаратного обеспечения добиваться большей эффективности и меньших форм-факторов в требовательных приложениях с высокой мощностью. Неизменное качество Nexperia в нескольких полупроводниковых технологиях гарантирует разработчикам надежность этих диодов.

Кроме того, технология Nexperia «thin SiC» позволяет уменьшить толщину подложки (на треть от первоначальной толщины), что значительно снижает тепловое сопротивление от стыка к металлу обратной стороны. Следовательно, это приводит к снижению рабочей температуры, повышению надежности и срока службы устройства, повышению устойчивости к импульсным токам и меньшему прямому падению напряжения.

Компания Nexperia сообщает, что первый выпуск ее диодов из карбида кремния (SiC) был положительно воспринят рынком. Компания продемонстрировала свой опыт в области проектирования, показательным примером чего являются источники питания для промышленного применения, где заказчики добились исключительных результатов. Уникальные характеристики обратного восстановления этих диодов обеспечивают оптимальную эффективность при их практическом применении.