600007 г. Владимир, ул. 16 лет Октября, д. 68А, литер "Ф", этаж 2, помещение 12
+7 (4922) 53-10-31
info@skb-proton.ru

CGD представляет новые пакеты микросхем GaN power с улучшенными тепловыми характеристиками

Технологии силовой преобразовательной техники

Устройства Cambridge GaN Компания (CGD) представила еще два варианта упаковки для своей линейки силовых интегральных схем (ICS) ICeGaN™. Эти новые упаковки обеспечивают повышенную тепловую эффективность и упрощают процесс контроля. Оба корпуса, представляющие собой варианты хорошо зарекомендовавшей себя конструкции DFN, отличаются высокой прочностью и надежностью.

DHDFN-9-1 (Dual Heat-spreader DFN) — это компактный корпус, предназначенный для CGD. Он имеет тонкую конструкцию и охлаждается с обеих сторон. При небольших габаритах (10×10 мм) он также имеет смачиваемые боковые поверхности, облегчающие оптический контроль. Устройство обладает низким тепловым сопротивлением (Rth(JC)) и может использоваться с нижним, верхним и двусторонним охлаждением. Это обеспечивает гибкость конструкции и превосходит обычно используемый пакет TOLT в системах охлаждения с верхней и двойной сторонами. Корпус DHDFN-9-1 был специально разработан с конфигурацией двухзатворной распиновки для повышения эффективности компоновки печатной платы и обеспечения простого параллельного подключения. Это позволяет пользователям без особых усилий работать с приложениями с потребляемой мощностью до 6 кВт.

BHDFN-9-1 (Bottom Heat-spreader DFN) — это упаковка, охлаждаемая с нижней стороны. Она также имеет смачиваемые боковые стенки, что облегчает ее осмотр. Тепловое сопротивление составляет 0,28 К/Вт, что сопоставимо с показателями других продуктов top или превосходит их. BHDFN, размеры которого составляют 10×10 мм, меньше, чем у широко используемой упаковки TOLL. Тем не менее, он имеет схожие габариты, что обеспечивает удобную и простую интеграцию с платными микросхемами питания GaN для простоты использования и оценки.

Согласно CGD, эти новые пакеты позволят заказчикам использовать микросхемы ICeGaN GaN power с повышенным уровнем энергопотребления. Серверы, центры обработки данных, инверторы/электроприводы, микроинверторы и другие промышленный приложения все чаще используют преимущества GaN в плане плотности мощности и эффективности. Однако эти приложения также предъявляют более высокие требования. Таким образом, для таких приложений крайне важно, чтобы устройства обладали долговечностью и надежностью, а также были легко интегрируемы в конструкцию. ICeGaN обладает этими качествами по своей сути, и они усиливаются и расширяются в новых пакетах.

Повышение термостойкости дает множество преимуществ. Изначально при одинаковом значении RDS(on) достигается большая выходная мощность. Устройства также работают при более низких температурах при той же мощности, поэтому им требуется меньшее тепловыделение, что приводит к снижению затрат на систему. Снижение рабочих температур приводит к повышению надежности и увеличению срока службы. В конечном счете, если стоимость является ограничивающим фактором для применения, у разработчиков есть возможность использовать менее дорогостоящий компонент с более высоким значением RDS(on) при сохранении необходимой выходной мощности.