Цифровая микроэлектроника компания объявила о планах по строительству современного производственного комплекса в Катании, Италия, предназначенного для производства силовых устройств и модулей с использованием технологии карбида кремния толщиной 200 мм (SiC). На предприятии также будут созданы условия для тестирования и упаковки.

Когда на том же месте будет достроен завод по производству кремниевых подложек, он будет объединен с этими объектами для создания кампуса ST по производству карбида кремния. Этот кампус позволит реализовать цель компании — создать полностью вертикально интегрированный производственный комплекс для массового производства карбида кремния в одном месте. Открытие нового кампуса компании Silicon Carbide является значительным достижением, направленным на оказание помощи клиентам в использовании устройств SiC во многих секторах, таких как автомобилестроение, промышленность и облачная инфраструктура. Эта инициатива особенно важна, поскольку эти отрасли переходят к электрификация и стремитесь к повышению эффективности.

Кампус по производству карбида кремния будет функционировать как центр всемирной экосистемы SiC ST, объединяя все этапы производственного процесса. Это включает в себя разработку подложек из SiC, наращивание эпитаксиальных слоев, изготовление передних пластин диаметром 200 мм, сборку внутренних частей модулей, а также исследования и разработки технологических процессов, дизайн продукции, передовые лаборатории для изготовления штампов, систем питания и модулей и комплексные возможности упаковки. Этот проект станет первым в Европе, где будет налажено массовое производство пластин SiC толщиной 200 мм. Весь производственный процесс, включая подложку, эпитаксию и предварительную обработку, будет осуществляться по технологии 200 мм для повышения производительности.

Планируется, что следующая фабрика начнет производство в 2026 году и достигнет максимальной производственной мощности к 2033 году, производя до 15 000 вафель в неделю на пике своей производительности. Ожидаемый общий объем инвестиций составляет около пяти миллиардов евро, включая финансовую поддержку в размере около двух миллиардов евро от правительства Италии в рамках проекта Закон ЕС о чипах Кампус «Карбид кремния» использует устойчивые методы в своем проектировании, разработке и эксплуатации, чтобы способствовать ответственному потреблению ресурсов, особенно в области водоснабжения и энергоснабжения.

Доминирующее положение ST в области карбида кремния (SiC) является результатом 25-летних целенаправленных исследований и разработок, подкрепленных обширной коллекцией важнейших патентов. Исторически Катания служила важным центром инноваций для ST, где располагались крупнейшие научно-исследовательские и опытно-конструкторские центры SiC, а также производственные мощности. Это привело к заметному прогрессу в производстве усовершенствованных устройств SiC. Эти инвестиции укрепят позиции Катании как глобального центра технологий SiC и создадут больше возможностей для роста. В Катании уже есть хорошо развитая экосистема силовой электроники, благодаря успешному партнерству между ST, Университетом Катании и CNR. Кроме того, существует широкая сеть поставщиков, поддерживающих эту экосистему.