РЕМ и Цифровая микроэлектроника объявили о продлении своего текущего долгосрочного контракта с Сикристалл, входящей в группу компаний ROHM, на поставку подложек из карбида кремния (SiC) толщиной 150 мм. Данное соглашение рассчитано на несколько лет. Новое многолетнее соглашение предусматривает поставку большего количества пластин на основе SiC, производимых в Нюрнберге, Германия, на предполагаемую минимальную сумму в 230 миллионов долларов.

По данным STMicroelectronics, такое расположение приведет к увеличению подачи на 150 мм так пластины-подложки, которые будут использоваться для увеличения производственных мощностей устройств ST для автомобильной и промышленной промышленности по всему миру. Компания заявляет, что это соглашение повысит способность STMicroelectronics противостоять сбоям в цепочке поставок и будет способствовать дальнейшему расширению за счет поддержания оптимального сочетания внутренних и внешних источников поставок в различных местах.

SiCrystal, дочерняя компания ROHM, уже длительное время производит пластины на основе SiC и является заметным игроком на мировом рынке пластин из монокристаллического карбида кремния. Сложные полупроводниковые подложки SiCrystal необходимы для оптимизации эффективного использования электроэнергии в электромобилях (EV), станциях быстрой зарядки, возобновляемых источниках энергии и многочисленных промышленных и энергетических приложениях.

SiCrystal выражает большое удовлетворение в связи с возобновлением соглашения о поставках со своим постоянным клиентом STMicroelectronics. Компания будет последовательно наращивать производство пластин на основе SiC толщиной 150 мм, чтобы поддержать своих партнеров в расширении их бизнеса в области SiC. Они также обеспечат бесперебойные поставки высококачественной продукции. Силовые полупроводники SiC, обладающие высокой эффективностью, способствуют электрификации автомобильного и промышленного секторов более экологичным и устойчивым способом. SiC позволяет внедрять более экологически чистые транспортные решения, сокращать выбросы в промышленных процессах и продвигать более устойчивую энергетику будущего. Кроме того, это повышает надежность источников питания для ресурсоемкой инфраструктуры, такой как центры обработки данных, ориентированные на искусственный интеллект.