600007 г. Владимир, ул. 16 лет Октября, д. 68А, литер "Ф", этаж 2, помещение 12
+7 (4922) 53-10-31
info@skb-proton.ru

Infineon представляет MOSFET OptiMOS 7 с низким сопротивлением включению на 80 В для применения в автомобилестроении

Технологии силовой преобразовательной техники

Торжественное вручение Компания Infineon Technologies AGБыла представлена новейшая технология силовых МОП-транзисторов OptiMOS™ 7 напряжением 80 В. Значительно повышена удельная мощность IAUCN08S7N013, который предлагается в адаптируемом, надежном и сильноточном SMD-корпусе SSO8 размером 5 x 6 мм2. Совместимость решения OptiMOS 7 с напряжением 80 В и готовящимися к выпуску сетями питания напряжением 48 В безупречна. Этот продукт специально разработан для удовлетворения требований сложных автомобильных приложений, таких как автомобильный Преобразователи постоянного тока в электромобилях (EVS), системы управления двигателем напряжением 48 В (например, электроусилитель рулевого управления), переключатели аккумуляторных батарей напряжением 48 В и электрические двух- и трехколесные транспортные средства. Он разработан для обеспечения высокой производительности, качества и надежности.

RDS(on) Infineon IAUCN08S7N013 был снижен почти на 50 процентов по сравнению с предыдущим поколением, что делает его самым производительным в отрасли RDS(on) с максимальным значением 1,3 Мом. Индивидуальные пользователи получают преимущества за счет снижения потерь на проводимость, повышения эффективности коммутации и достижения максимальной плотности мощности в компактном корпусе размером 5 x 6 мм2. Кроме того, IAUCN08S7N013 обладает такими похвальными характеристиками, как низкое сопротивление корпуса и индуктивность, а также значительная пропускная способность по лавинному току. В контексте применения в автомобилестроении требования стандарта AEC-Q101 выходят за рамки требований стандарта.

Модель IAUCN08S7N013 запущена в массовое производство и доступна уже сейчас.