Пространство EPC компания EPC7009L16SH представила интегральную схему управления затвором из нитрида галлия (GaN) с радиационным упрочнением. Используя эксклюзивную технологию EPC eGaN® IC, этот инновационный модуль управления GaN позволяет инженерам-проектировщикам в полной мере использовать возможности eGaN Сделано технология.

EPC7009L16SH обеспечивает оптимальный вариант управления питанием в ситуациях, когда компактные размеры, высокая эффективность и простая конструкция имеют первостепенное значение. EPC7009L16SH — это компактное и новое устройство, которое сочетает в себе входной логический интерфейс, защиту от пониженного напряжения (UVLO), линейный регулятор напряжения от 10 В до 5,25 В и схему управления. Он заключен в герметичный 16-контактный SMT-корпус.

Это устройство способно к высокоскоростному переключению на частотах до 3,0 МГц. Суммарная ионизирующая доза составляет 1000 кРад, а устойчивость к эффекту единичного события (см.) обеспечивается при линейной передаче энергии (LET) на уровне 84 МэВ/мг/см², при этом интегральные схемы (ИС) работают на 100% от их максимального напряжения питания.

Транзисторы eGaN становятся все более предпочтительными в космической технике для применений, требующих более высокой частоты переключения, мощности и радиационной стойкости. Драйвер EPC7009L16SH раскрывает все возможности eGaN HEMTs, выходящие за рамки существующих драйверов на основе кремния. Кроме того, EPC7009L16SH может управлять как минимум четырьмя дискретными GaN-устройствами EPC Space.

Компоненты микросхемы облегчают использование Гвинедд технология, позволяющая разработчикам эффективно использовать ее существенные возможности по повышению производительности. Использование интегрированных устройств на одном кристалле дает такие преимущества, как упрощение процессов внедрения, проектирования и сборки. Это также помогает экономить место на печатной плате и повышает общую эффективность. EPC7009L16SH относится к недавно представленной серии радиационно-стойких интегральных схем (ИС), предназначенных для космических применений. EPC и EPC Space начнут выпуск этого нового семейства ИС уже в этом году.

Микросхемы Rad Hard представляют собой значительный шаг вперед в разработке технологии преобразования энергии Rad Hard GaN. Они выходят за рамки простого объединения отдельных устройств и предлагают более сложные решения, которые превосходят возможности кремниевых решений с точки зрения внутрисхемной производительности. Кроме того, они облегчают инженерам по энергосистемам проектирование энергосистем.