Новости SiC
NIO представила C-образец первого самостоятельно разработанного модуля SiC, который выходит в продажу
29 марта в штаб-квартире UNT в городе Шаосин состоялась партнерская конференция NIO и United Nova Technology (United Nova Technology Co., Ltd.). В ходе конференции был успешно представлен C-образец модуля SiC, разработанного компанией NIO собственными силами.
В январе этого года UNT заключила долгосрочное соглашение с NIO о поставках продукции SiC module. В соответствии с соглашением, UNT изготовит первый модуль SiC собственной разработки NIO на 1200 В и будет играть ключевую роль в качестве партнера в рамках комплексного проекта NIO по созданию высоковольтной платформы для электромобилей собственной разработки на 900 В.
Глобальный масштаб рынка полупроводниковых приборов: размер, тенденции и прогнозы на 2024-2030 годы
Рыночный отчет “SiC Power Devices – доля и рейтинг на мировом рынке, общий прогноз продаж и спроса на 2024-2030 годы” от QYResearch содержит всесторонний анализ индустрии устройств SiC Power. Он включает в себя тщательный анализ конкурентной среды, доли игроков на рынке и важнейших бизнес-стратегий. В отчет также включены оценки размера и прогнозы роста, которые основаны на сегментации, региональном анализе и анализе ситуации в конкретной стране.
В отчете представлен всесторонний анализ размера рынка, потенциала роста и значимых тенденций для каждого сегмента. Проводя всесторонний анализ, участники отрасли могут определить потенциальные пути получения прибыли, разработать стратегии, адаптированные к конкретным сегментам потребителей, и эффективно распределять ресурсы.
Модернизация инвертора для электроприводов нового поколения
Потенциальные покупатели возлагают все большие надежды на каждое последующее поколение электромобилей. Чтобы способствовать переходу к электронной мобильности, электромобили должны не только соответствовать или превосходить по производительности традиционные автомобили с двигателями внутреннего сгорания, но и иметь больший запас хода на одном заряде и быть более экономичными.
Учитывая это, компания BorgWarner усовершенствовала свою технологию тяговых инверторов, готовясь к наступающей эре легковых автомобилей и коммерческих автомобилей средней мощности. Устройство оснащено запатентованным выключателем питания на основе технологии карбида кремния (SiC), который охлаждается с обеих сторон. Этот выключатель питания на 40% легче и на 30% меньше, чем предыдущие модели инверторов.
Что будет дальше с SiC?
Исследовательская компания Yole Group пишет в статье Viewpoint, что к концу этого десятилетия выручка SiC в области силовой электроники достигнет 10 миллиардов долларов, и что устойчивый рост в 2023 году стал поворотным моментом для множества приложений.
Электромобили BEV продолжают оставаться основным драйвером развития рынка: в 2023 году Tesla поставила 1,8 миллиона автомобилей, а крупные производители, включая Hyundai, BYD, Xpeng, Nio и многие другие, все чаще выпускают электромобили BEV мощностью 800 В. Его зависимость от поставщиков всех основных производителей устройств SiC способствовала рекордному доходу этого приложения в 2023 году.
Другие области применения, такие как фотоэлектрическая энергетика, источники питания и зарядные устройства для электромобилей, ожидают следующей модификации SiC-устройств, чтобы обеспечить достаточный объем производства по конкурентоспособной цене. То же самое произошло и с производствами SiC wafer и epiwafer в 2023 году, которые принесли рекордные доходы.
3-Канальный Пакетный Интерфейс Гальванической развязки для Силовых Коммутационных преобразователей SiC И GaN
В этой статье рассматривается разработка трехканального пакетного интерфейса с гальванической развязкой для силовых коммутационных преобразователей SiC и GaN. Изолирующий интерфейс состоит из двух микросхем, которые соединены вместе с использованием экономичной технологии биполярных CMOS-DMOS (BCD) толщиной 0,32 мкм. Он также оснащен тремя изолирующими каналами передачи данных, в которых используются интегрированные микроантенны с радиочастотной связью. Изолирующий интерфейс облегчает выполнение различных функций, включая управление приводом шлюза, двунаправленную диагностическую связь и управление изолированным источником питания.
Метод извлечения для подготовки и определения характеристик крупных образцов ПЭМ
Дефекты в структурах карбида кремния (SiC) могут препятствовать правильному расположению кристаллической решетки. Наличие дефектов кристаллической решетки существенно влияет на надежность устройства. Несмотря на недавние достижения в области технологий выращивания кристаллов SiC, эффективное регулирование числа кристаллографических дефектов остается серьезным препятствием. Было продемонстрировано, что дислокации и дефекты укладки оказывают значительное влияние на снижение производительности устройств на основе SiC.
В нескольких исследованиях изучался процесс образования и распространения дефектов в процессе роста кристаллов. Однако точные механизмы, ответственные за образование дефектов в SiC, остаются не до конца известными.
Следовательно, крайне важно разработать методологии, способные идентифицировать, измерять, точно определять и описывать дефекты SiC, которые снижают производительность устройства, и внедрить эти подходы в промышленный контроль качества для улучшения процессов производства кристаллов SiC.
Новости GaN
Размер рынка GaN-транзисторов, доля, тенденции и прогноз: 2024-2030
Ожидается, что мировой рынок GaN-транзисторов достигнет скорректированного объема в миллион долларов США к 2030 году, увеличившись в среднем на несколько процентов в период с 2024 по 2030 год. В 2023 году объем рынка оценивался в миллион долларов США.
В свете динамичного характера рынка в настоящем отчете рассматриваются тенденции спроса и предложения, конкуренция и основные факторы, влияющие на колебания спроса, наблюдаемые на многих рынках.
Анализ и моделирование влияния тока утечки затвора на пороговое напряжение и подпороговое колебание в транзисторах AlGaN/GaN с высокой подвижностью электронов с затвором p-GaN
В этом исследовании представлено изготовление транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT) с затвором p-GaN AlGaN/GaN с различными комбинациями функций обработки металла затвора и геометрии затвора. Исследование сосредоточено на изучении влияния тока утечки на затворе (IGS) на пороговое напряжение (VTH) и подпороговое колебание (SS).
Обнаружено, что соотношение между VTH и SS и геометрией затвора варьируется в зависимости от типа используемого металла, что отличает его от обычных полевых транзисторов. Для объяснения этого явления предложена новая гибридная физическая модель, включающая в себя традиционную модель емкостного делителя и модель инжекции в отверстие. Результаты демонстрируют замечательное совпадение с экспериментальными данными.
Патентное ведомство США проверяет действительность двух заявленных патентов EPC против инновационной науки
В мае 2023 года EPC подала иск против Innoscience в Комиссию по международной торговле США (ITC) в Вашингтоне, округ Колумбия, утверждая, что некоторые устройства Innoscience GaN нарушили четыре патента EPC. Innoscience опровергла заявления EPC о нарушении авторских прав и поставила под сомнение действительность патентов EPC. Innoscience запустила комплексную стратегию защиты, направив в USPTO петиции о пересмотре между сторонами (IPR), оспаривающие законность всех рассматриваемых патентов. В ходе экспертизы, проведенной ITC, EPC добровольно отозвала два из своих первоначальных четырех патентов. В феврале/марте ITC провела слушания по двум оставшимся патентам. ITC опубликует первоначальное заключение к 3 июня, а окончательное решение — к 3 октября. Не исключено, что окончательное решение может быть продлено по времени.
Вермонт усиливает свои обязательства в области технологий GaN semi
Губернатор штата Вермонт Фил Скотт подтвердил свою неизменную поддержку инициативы Tech Hub V-GaN, направленной на выделение ресурсов для вывода штата Вермонт на международный уровень в области полупроводников из нитрида галлия (GaN).
Недавние инвестиции в GaN и GlobalFoundries в соответствии с Законом о ЧИПАХ дают дополнительные основания для того, чтобы Министерство торговли США присвоило этому региону статус технологического центра. Завод 9, расположенный в Эссекс-Джанкшн, в настоящее время работает на ограниченных мощностях по производству полупроводников GaN. Предполагается, что это будет первое предприятие в этом полушарии, которое начнет массовое производство этой технологии.
Операции с энергонезависимой памятью с использованием межподзонных переходов в резонансных туннельных диодах GaN/AlN, выращенных на подложках Si(111)
Энергонезависимая память, использующая межподзонные переходы и накопление электронов в квантовых ямах в резонансных туннельных диодах GaN/AlN (RTD), обладает большим потенциалом в качестве быстродействующей энергонезависимой памяти, работающей в пикосекундном масштабе времени. До сих пор такая память создавалась только на сапфировых подложках (0001) из-за сильного притяжения между нитридными материалами и подложкой. Тем не менее, производство этой памяти на подложках из Si(111) является привлекательным для достижения гибридной интеграции с устройствами из Si и энергонезависимой памятью, а также для трехмерных методов интеграции, таких как «чип на пластине» и «пластина на пластине».
Новости ГВБ
Coherent выделяет 15 миллионов долларов на финансирование проекта CHIPS Act через CLAWS Hub для ускорения коммерциализации полупроводников с широкой и сверхширокополосной связью
Корпорация Coherent успешно получила финансирование в размере 15 миллионов долларов в рамках Закона о создании полезных стимулов для производства полупроводников (чипов) и науки от 2022 года. В соответствии с этим законом Министерству обороны (DoD) было выделено 2 миллиарда долларов с целью укрепления и обновления цепочки поставок полупроводников в Соединенных Штатах.
В сентябре Министерство обороны (DoD) создало восемь региональных инновационных центров в области микроэлектроники с помощью подразделения военно-морского центра надводных боевых действий Crane и ускорителя технологий национальной безопасности. Одним из таких центров является коммерческий центр по разработке широкополосных полупроводников (CLAWS), который расположен в Северной Каролине и возглавляется Университетом штата Северная Каролина.
Новые полупроводниковые технологии могут помочь в развитии искусственного интеллекта
Силовые полупроводники, особенно полупроводники с широкой запрещенной зоной, играют решающую роль в глобальных усилиях по достижению целей устойчивого развития. Устройства с широкой запрещенной зоной способны работать при повышенных напряжениях, частотах и температурах по сравнению с другими микросхемами, что повышает эффективность устройства. Два конкретных материала, карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN), особенно актуальны. Хотя они не новы, спрос на них ограничен из-за проблем, связанных с их применением, стоимостью, надежностью и имеющейся производительностью.
Рынок широкополосных полупроводников: К 2032 году он превысит 5,4 миллиарда долларов и увеличится на 13,2% в годовом исчислении
Объем мирового рынка широкополосных полупроводников в 2022 году составлял 1,6 миллиарда долларов, а к 2032 году, как ожидается, достигнет 5,4 миллиарда долларов. Прогнозируется, что в период с 2023 по 2032 год совокупный годовой темп роста (CAGR) составит 13,2%.
Полупроводники с широкой полосой пропускания используются в промышленном секторе для расширения рабочей полосы пропускания и обработки значительных объемов трафика при использовании данных. Объем рынка определяется преимуществами полупроводников с широкой полосой пропускания, такими как более высокое напряжение и более простое согласование импеданса.
Кроме того, производители широкополосных полупроводниковых приборов начинают осознавать потенциал рынка широкополосных полупроводниковых приборов в результате позитивного прогноза роста бизнеса светодиодного освещения. Использование широкополосных полупроводников приводит к увеличению срока службы светодиодного освещения и экономии энергии, что делает их экономически выгодным вариантом для всех потребителей и повышает потребность рынка в широкополосных полупроводниках.
Технология тройного органического объемного гетероперехода обеспечивает эффективное использование света в перовскитных солнечных элементах
Актуальной областью исследований перовскитных солнечных элементов является расширение фотоотдачи за счет включения в нее ближнего инфракрасного диапазона (NIR). Для улучшения поглощения света поверх перовскита был нанесен слой, состоящий из PC61BM, D18-Cl и Y6. Этот слой представляет собой тройной объемный гетеропереход (BHJ). Слой тройного объемного гетероперехода (BHJ) обладает способностью улавливать и использовать низкоэнергетические фотоны в ближней инфракрасной области (NIR), а именно в диапазоне длин волн от 800 до 920 нанометров, для получения экситонов. Затем эти экситоны разделяются на несвязанные электроны и дырки на стыке между донорным и акцепторным материалами, что повышает способность устройства реагировать на свет с длиной волны до 920 нм.
Полученные результаты показывают, что использование тройного органического объемного гетероперехода является успешным подходом к оптимизации поглощения света в ближнем инфракрасном диапазоне и повышению общей эффективности перовскитовых солнечных элементов.
Рынок космической силовой электроники вырастет в среднем на 16% в течение прогнозируемого периода 2023-2030 годов
По данным SNS insider, объем рынка космической силовой электроники в 2022 году составил 242,67 млн долларов США, а к 2030 году, как ожидается, достигнет 795,57 млн долларов США, демонстрируя высокие среднегодовые темпы роста (CAGR) в 16% в течение прогнозируемого периода 2023-2030 годов.
Мировой рынок космической силовой электроники претерпевает существенное расширение, чему способствуют различные факторы, включая растущую потребность в энергоэффективных системах для космических аппаратов, требования к компактным и легким компонентам силовой электроники и технологические достижения. В дополнение к разработке силовых устройств из карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN) технический прогресс способствует расширению рынка.
Исследование механизма однократного выгорания в режиме бокового истощения Ga2O3 Устройства на МОП-транзисторах с помощью моделирования в TCAD
В этом исследовании исследуется чувствительная область и оптимальное рабочее напряжение для однократного перегорания (SEB) в МОП-транзисторах Ga2O3 с режимом бокового разряда с использованием технологии компьютерного моделирования проектирования. Предполагаемый механизм радиационного повреждения при однократном выгорании (SEB) основан на анализе распределения электрического поля, концентрации носителей заряда и плотности электронного тока во время возникновения SEB. Работа SEB в МОП-транзисторе Ga2O3 обусловлена его особой структурой, в которой отсутствует PN-переход. Эта структура позволяет управлять затвором и оказывает заметное влияние на проводимость в области истощения.
Свежие комментарии