В области энергетических систем и преобразования энергии, Компания Infineon Technologies AG компания вступила в новый этап, внедрив последующую итерацию технологии траншейных МОП-транзисторов на основе карбида кремния (SiC). Последняя версия МОП-транзистора Infineon CoolSiC MOSFET, доступного в версиях 650 В и 1200 В поколения 2, обладает улучшенными эксплуатационными характеристиками с точки зрения накопленной энергии и заряда, превосходя предыдущее поколение почти на 20 процентов. Это улучшение достигается без ущерба для качества и надежности МОП-транзистора. Следовательно, улучшенная производительность приводит к повышению общей энергоэффективности, тем самым внося значительный вклад в процесс обезуглероживания.

Технология CoolSiC™ MOSFET поколения 2 (G2) дополнительно использует эксплуатационные характеристики карбида кремния, способствуя уменьшению рассеивания энергии, что приводит к повышению эффективности при преобразовании энергии. Использование силовых полупроводников в широком спектре применений, включая фотоэлектричество, накопители энергии, зарядку постоянным током, электроприводы и промышленные источники питания, дает значительные преимущества потребителям.

Постоянный ток быстрая зарядка станция для электромобилей, оснащенная CoolSiC G2, позволяет снизить потери электроэнергии до 10% по сравнению с предыдущими поколениями. Кроме того, это позволяет увеличить мощность зарядки без ущерба для физической конструкции станции. Использование устройств CoolSiC G2 в тяговых инверторах потенциально может расширить ассортимент электромобилей. В области возобновляемых источников энергии использование CoolSiC G2 в солнечных инверторах позволяет добиться уменьшенных габаритов без ущерба для выработки электроэнергии, что, следовательно, приводит к снижению затрат на ватт.

Инновационная система охлаждения Infineon МОП-транзистор технология trench играет важную роль в повышении производительности решений CoolSiC G2. Эта технология обеспечивает оптимальный конструктивный баланс, что приводит к повышению эффективности и надежности по сравнению с существующей технологией SiC MOSFET. Infineon расширяет возможности разработок, использующих CoolSiC G2, за счет внедрения известных технологий.Технология упаковки XT. Такое сочетание обеспечивает повышенную теплопроводность, улучшенный контроль сборки и более высокую производительность.

Infineon обладает опытом во многих областях энергетических технологий, включая кремний, карбид кремния и нитрид галлия (GaN). Это позволяет компании предоставлять разработчикам высокую степень гибкости проектирования и передовые знания в области применения, удовлетворяя тем самым требования и предпочтения современных дизайнеров. Полупроводники, в которых используются материалы с широкой запрещенной зоной (WBG), такие как SiC и GaN, играют решающую роль в обеспечении обезуглероживания, позволяя осознанно и эффективно использовать энергию.