Полупроводниковый прибор Navitas компания представила первый в мире блок питания мощностью 8,5 кВт для искусственного интеллекта нового поколения и гиперразмерных центров обработки данных. Этот блок питания работает на основе технологий GaN и SiC, что обеспечивает эффективность 98%.

Блок питания с выходным напряжением 54 В, оптимизированный с помощью искусственного интеллекта, соответствует спецификациям Open Compute Project (OCP) и Open Rack v3 (ORv3). Он оснащен мощными МОП-транзисторами GaNSafe и Gen-3 Fast SiC, которые сконфигурированы с 3-фазным чередованием рядовой и топологии LLC гарантируют высочайшую эффективность и производительность при минимальном количестве компонентов.

Самые низкие в отрасли значения переходного тока и электромагнитных помех достигаются за счет перехода блока питания на 3-фазную топологию как для PFC, так и для LLC, в отличие от 2-фазных топологий, используемых конкурирующими блоками питания. Кроме того, блок питания снижает общую стоимость на 25% за счет уменьшения количества устройств GaN и SiC по сравнению с ближайшей конкурирующей системой. Выходное напряжение в режиме ожидания составляет 12 В, диапазон входных напряжений от 180 до 264 В переменного тока и диапазон рабочих температур от -5°С до 45°С — все это характеристики блока питания. При мощности 8,5 кВт время ожидания составляет 10 мс, а с помощью удлинителя его можно увеличить до 20 мс.

Мощный модуль GaNSafe, специально разработанный для требовательных приложений с высокой производительностью, таких как центры обработки данных с искусственным интеллектом и промышленные рынки, поддерживает 3-фазную топологию LLC. Четвертое поколение Navitas включает в себя функции управления, приведения в движение, сенсорики и критической защиты, которые обеспечивают непревзойденную надежность.

GaNSafe — это самая безопасная сеть GaN в мире, оснащенная защитой от короткого замыкания (максимальная задержка 350 нс), защитой от электростатического разряда 2 кВ на всех контактах, устранением отрицательного привода затвора и программируемым управлением скоростью нарастания напряжения. Комплект поставки можно рассматривать как дискретный полевой транзистор GaN, поскольку все эти функции управляются с помощью 4-контактного разъема, что исключает необходимость в выводе VCC. GaNSafe напряжением 650 В доступен в конфигурациях TOLL и TOLT и подходит для применений мощностью от 1 кВт до 22 кВт. МАКСИМАЛЬНОЕ значение RDS (ВКЛ.) составляет от 25 до 98 Мом.

Трехфазный CCM TP-PFC с чередованием фаз поддерживается быстродействующими SiC-МОП-транзисторами поколения 3 с технологией «trench-assisted planar», которая была разработана благодаря более чем 20-летнему лидерству SiC в области инноваций. Эта технология обеспечивает лучшую в мире производительность в температурном режиме, включая охлаждение, быстрое переключение и превосходную надежность, для поддержки более быстрой зарядки электромобилей и в 3 раза более мощных центров обработки данных с искусственным интеллектом. Блок питания впервые будет представлен на выставке электроника 2024 (Зал C3, стенд 129, 12-15 ноября).