Полуфабрикат анонсирован новый элемент семейства QSiC™. Модули QSiC SiC MOSFET напряжением 1200 В в полномостовой конфигурации обеспечивают низкие потери при переключении, повышают эффективность, уменьшают рассеивание тепла и позволяют использовать радиаторы меньшего размера.

Модули QSiC с полномостовой топологией имеют высокое напряжение пробоя — более 1400 В, что позволяет им работать при высоких температурах до Tj = 175°C с незначительным изменением Rds(On) во всем диапазоне температур. Модули SemiQ, изготовленные из высокопрочной керамики, обеспечивают выдающуюся производительность, более высокую плотность мощности и более компактную конструкцию, особенно в условиях высоких частот и высокой мощности. Они идеально подходят для сложных задач, требующих двунаправленного потока энергии или более широкого диапазона управления, таких как солнечный инверторы, зарядные устройства для электромобилей, преобразователи постоянного тока в постоянный и источники питания.

Опыт SemiQ в области применения солнечных инверторов позволяет разработчикам достигать КПД до 98% и создавать более компактные конструкции. Это снижает теплопотери, повышает термическую стабильность и надежность, что подтверждается более чем 54 миллионами часов тестирования HTRB/H3TRB. МОП-транзисторы напряжением 1200 В оптимизируют эффективность в Преобразователи постоянного тока в постоянный, повышают надежность и снижают рассеиваемую мощность.

SemiQ проводит тестирование на выгорание затворов на уровне пластины, чтобы обеспечить стабильное пороговое напряжение на затворе и высококачественный оксид затворов для каждого модуля. Помимо испытания на выгорание, для достижения требуемых стандартов качества в автомобилестроении и промышленности и снижения частоты внешних отказов используются другие стресс-тесты, такие как напряжение затвора, напряжение стока при обратном смещении при высокой температуре (HTRB), а также высокая влажность, высокое напряжение и высокая температура (H3TRB). Устройства обладают повышенной устойчивостью к короткому замыканию, и все компоненты были протестированы при напряжении выше 1400 В.

SemiQ представит свою линейку продуктов QSiC в комплектациях SOT-227, half-bridge и full-bridge на конференции Applied Power Electronics Conference (APEC) в Лонг-Бич, Калифорния, с 25 по 29 февраля 2024 года. SemiQ предлагает новые модули напряжением 1200 В в полномостовых комплектациях с SiC-МОП-транзисторами, доступными в категориях 20 Мом, 40 Мом и 80 Мом.