В связи с растущими требованиями к энергопотреблению процессоров искусственного интеллекта (ИИ) серверные блоки питания (БП) должны обеспечивать все большее энергопотребление, но при этом соответствовать заданным размерам серверных стоек. Увеличение энергопотребления графических процессоров высокого уровня является основной движущей силой этой тенденции. По прогнозам, к концу десятилетия каждый чип может потреблять 2 кВт или более. Компания Infineon Technologies AG принял решение расширить разработку так МОП-транзисторы рассчитаны на напряжение ниже 650 В в связи с растущими потребностями приложений и уникальными требованиями клиентов. В настоящее время компания представляет новое семейство МОП-транзисторов CoolSiC™ напряжением 400 В, основанное на технологии CoolSiC второго поколения (G2), которая была выпущена ранее в этом году.

Infineon создала новую линейку MOSFET-транзисторов специально для использования в системах переменного/постоянного тока на серверах искусственного интеллекта. Эта линейка дополняет недавно анонсированную Infineon программу создания блоков питания. Эти устройства хорошо подходят для систем солнечной энергии и накопления энергии (ESS), управления инверторными двигателями, промышленных и вспомогательных источников питания (SMPS), а также твердотельных автоматических выключателей для жилых зданий.

Новое семейство обладает значительно сниженными потерями на проводимость и коммутацию по сравнению с существующими МОП-транзисторами SiC и Si на 650 В. Каскад переменного/постоянного тока блока питания сервера искусственного интеллекта, реализованный в многоуровневой PFC, позволяет достичь плотности мощности 100 Вт/дюйм3 и, как было продемонстрировано, обеспечивает КПД в 99,5 процента. Это решение демонстрирует повышение эффективности на 0,3 процентных пункта по сравнению с решениями, использующими полупроводниковые МОП-транзисторы напряжением 650 В. Кроме того, интеграция транзисторов CoolGaN™ в каскад DC/DC завершает системное решение для блоков питания серверов искусственного интеллекта. Благодаря использованию комбинации высокопроизводительных МОП-транзисторов и полевой транзисторной схемы, блок питания способен выдавать мощность более 8 кВт, что приводит к увеличению удельной мощности более чем в 3 раза по сравнению с существующими системами.

Обновленная коллекция МОП-транзисторов состоит в общей сложности из 10 наименований. Они включают в себя пять различных классов RDS(on) в диапазоне от 11 до 45 Мом. МОП-транзисторы доступны в комплектациях Kelvin-source TOLL и D2PAK-7, с .Технология подключения XT package. Пробивное напряжение сток-исток, составляющее 400 В при tvj = 25°C, делает эти компоненты хорошо подходящими для применения в 2- и 3-уровневых преобразователях, а также для синхронного выпрямления. Компоненты демонстрируют исключительную долговечность в сложных ситуациях переключения и проходят тщательное тестирование, чтобы убедиться в их надежности. Передовая и долговечная технология CoolSiC, а также технология подключения .XT позволяют устройствам справляться с неожиданным повышением мощности и колебаниями, вызванными резкими изменениями энергопотребления процессора искусственного интеллекта. Как технология подключения, так и низкий и положительный температурный коэффициент RDS (on) обеспечивают исключительную производительность в ситуациях, когда температура соединений повышена.