Следующая станция недавно компания представила свои высокоэффективные МОП-транзисторы на карбиде кремния (SiC) напряжением 1200 В в корпусе D2PAK-7 для устройств поверхностного монтажа (SMD). Эти МОП-транзисторы доступны в четырех различных вариантах со значениями RDSon 30, 40, 60 и 80 Мом. Недавно, в конце 2023 года, компания Nexperia выпустила два отдельных МОП-транзистора SiC в 3- и 4-контактном корпусе TO-247. Это объявление является частью серии релизов, которые позволят быстро расширить линейку полупроводниковых МОП-транзисторов Nexperia, включив в нее устройства со значениями RDSon 17, 30, 40, 60 и 80 Мом в различных комплектациях.

Nexperia удовлетворяет растущий спрос рынка на высокопроизводительные так переключатели в SMD-корпусе, такие как D2PAK-7, с выпуском NSF0xx120D7A0. Эти переключатели широко используются в различных промышленных приложениях, включая зарядку электромобилей, источники бесперебойного питания, солнечные батареи и инверторы для систем накопления энергии. Кроме того, это служит дополнительным свидетельством успешного стратегического сотрудничества Nexperia с Mitsubishi Electric Corporation (MELCO), в рамках которого две компании объединились для повышения энергоэффективности и электрических характеристик широкополосных полупроводниковых приборов SiC. Кроме того, это партнерство гарантирует, что производственные мощности по данной технологии будут подготовлены к будущим требованиям рынка.

RDSon является важнейшей характеристикой производительности SiC-МОП-транзисторов, поскольку он напрямую влияет на потери мощности при проведении. Тем не менее, большинство производителей отдают предпочтение номинальному значению, игнорируя возможность его увеличения более чем на 100% из-за повышенных рабочих температур устройства, что приводит к значительным потерям проводимости. Компания Nexperia признала, что это является фактором, снижающим эффективность многих устройств SiC, представленных в настоящее время на рынке. Для решения этой проблемы компания Nexperia использовала свой передовой технологический процесс, гарантирующий исключительную температурную стабильность новых SiC-МОП-транзисторов. Эти МОП-транзисторы демонстрируют номинальное увеличение RDSon всего на 38% в диапазоне температур от 25°C до 175°C, что делает их лидерами в отрасли.

МОП-транзисторы имеют очень точное пороговое напряжение, известное как VGS (th), что позволяет им обеспечивать сбалансированную пропускную способность по току при параллельном подключении. Кроме того, низкое прямое напряжение на диоде корпуса (VSD) является характеристикой, которая повышает долговечность и эффективность устройства, а также снижает необходимость в длительном простоях при работе на холостом ходу.