600007 г. Владимир, ул. 16 лет Октября, д. 68А, литер "Ф", этаж 2, помещение 12
+7 (4922) 53-10-31
info@skb-proton.ru

Infineon и Worksport сотрудничают в целях снижения веса и стоимости портативных электростанций за счет использования устройств GaN power

Технологии силовой преобразовательной техники

ООО «Воркспорт». выбрал ИнфинеонКомпания GaN power semiconductors представила GS-065-060-5- B-A для повышения эффективности и удельной мощности преобразователей в своих портативных электростанциях, согласно объявлению Infineon Technologies AG. Внедрение GaN-транзисторов от Infineon позволит сделать силовые преобразователи более компактными, легкими и снизить стоимость системы. Кроме того, Infineon окажет помощь Worksport в процессе оптимизации схем и компоновки с целью увеличения удельной мощности и уменьшения габаритных размеров.

В Worksport утверждают, что высокие стандарты качества Infineon и надежная цепочка поставок позволяют им получать лучшие компоненты для производства мощных преобразователей для линейки продуктов COR system, что обеспечивает исключительную производительность конечного продукта. Компания COR аккумуляторная система разработанный компанией Worksport, может быть легко встроен в пикап или заряжаться от солнечной батареи или электрической розетки. Заменив предыдущий кремниевый переключатель в преобразователь мощности благодаря силовым полупроводникам GaN от Infineon и использованию транзисторов с более высокой частотой переключения, Worksport может снизить вес аккумуляторной системы на 33% и сократить расходы на систему до 25%.

Сотрудничество с Infineon поможет Worksport сократить расходы на2 выбросы в процессе производства. Нитрид галлия (GaN) продемонстрировал свой преобразующий потенциал на нескольких рынках и в различных областях применения. Например, решения GaN в центрах обработки данных потенциально могут сэкономить 21 тераватт-час энергии в год, что эквивалентно сокращению выбросов углекислого газа (CO2).

GS-065-060-5- B-A от Infineon — это силовой транзистор, работающий при напряжении 650 В и использующий технологию GaN-on-Silicon в режиме усиления. Он специально разработан для применения в автомобилестроении. Это обеспечивает значительно низкое тепловое сопротивление между соединением и корпусом, что делает его подходящим для мощных приложений, требующих высокой производительности, таких как бортовые зарядные устройства, промышленные электроприводы и солнечные инверторы. Кроме того, он обладает простыми характеристиками привода затвора в диапазоне от 0 до 6 В и способен выдерживать переходные процессы в приводе затвора в диапазоне от -20 до +10 В.