600007 г. Владимир, ул. 16 лет Октября, д. 68А, литер "Ф", этаж 2, помещение 12
+7 (4922) 53-10-31
info@skb-proton.ru

Партнер X-FAB и Soitec по производству силовых устройств из карбида кремния (SiC) на заводе в Лаббоке, США

Технологии силовой преобразовательной техники

X-FAB и Соитек мы будем сотрудничать в поставке пластин Soitec SmartSiC™ для производства силовых устройств из карбида кремния на заводе X-FAB в Лаббоке, штат Техас.

Это сотрудничество стало результатом успешного завершения этапа оценки, когда на заводе X-FAB в Техасе были изготовлены силовые устройства из карбида кремния (SiC) с использованием 150-миллиметровых пластин SmartSiC™. Soitec и X-FAB будут сотрудничать, чтобы предоставить клиентам X-FAB удобный доступ к подложке SmartSiC™ с использованием модели консигнации в рамках общей цепочки поставок.

X-FAB — первая и наиболее успешная компания, применившая литейный подход на быстро растущем рынке SiC. Карбид кремния (SiC) — это сложный полупроводниковый материал, обладающий уникальными свойствами, которые делают его более эффективным, чем кремний, в энергетике.

SmartSiC™ — это технология, разработанная компанией Soitec, в которой используется их запатентованный метод SmartCut™. Этот процесс включает отделение тонкого слоя высококачественной монокристаллической (mono-SiC) «донорской» пластины и приклеивание ее к поликристаллической (poly-SiC) «ручке» с низким удельным сопротивлением. Полученная в результате подложка обеспечивает повышенную производительность устройства и производительность при изготовлении. Технология позволяет многократно использовать одну донорскую пластину, что приводит к существенному снижению как стоимости, так и сопутствующих затрат.2 выбросы.

В ответ на стремительный рост рынка Soitec увеличивает производство подложек SmartSiC™ на своем недавно созданном заводе в Бернине, расположенном недалеко от Гренобля, Франция. X-FAB расширяет производственные мощности по производству устройств из карбида кремния (SiC) на заводе в Лаббоке. Используя подложку SmartSiC™, клиенты X-FAB могут создавать более компактные устройства, что повышает эффективность за счет использования большего количества матриц на одной пластине. Цель X-FAB по снижению общего выброса углекислого газа будет в дальнейшем поддерживаться за счет снижения выбросов CO2 выбросы, возникающие в результате процесса производства субстрата.

X-FAB стремится предоставить своим клиентам широкий спектр возможностей для создания ультрасовременных и долговечных устройств SiC для электромобили, возобновляемой энергетики и промышленного применения. Чтобы обеспечить своим клиентам удобный доступ к уникальному оборудованию Soitec SmartSiC™, они совместно решили поставлять самые передовые технологии и производственные мощности из карбида кремния по модели консигнации.

Soitec заявляет, что сочетание подложек SmartSiC и возможностей литейного производства X-FAB является идеальным решением для удовлетворения растущей потребности в новых продуктах из SiC. Сотрудничество между X-FAB и SmartSiC является значительным достижением в области внедрения SmartSiC как на рынке США, так и во всем мире, чему способствует обширное присутствие X-FAB по всему миру.