Инновационные технологии компания представила новую линейку дискретных микросхем HEMT, работающих при низком напряжении и упакованных в FCQFN. Конфигурация «flip chip», рассчитанная на напряжение 40 В, 100 В и 150 В, упрощает сборку для инженеров. Существуют устройства FCQFN, рассчитанные на напряжение 40 В и измеряющие сопротивление при включении 4,3 Мом (с размером микросхемы 3×4 мм). Значения RDS(on), равные 2,8 Мом (3×5 мм) и 1,8 Мом (4×6 мм), предусмотрены для HEMTs напряжением 100 В, в то время как компоненты, рассчитанные на напряжение 150 В и имеющие размеры 4×6 мм, имеют значения RDS(on), равные 3,9 Мом и 7 Мом соответственно.

Используя самые современные технологии GaN от Innoscience, компоненты 40 В демонстрируют исключительную производительность, о чем свидетельствуют их лучшие в своем классе показатели качества (FOM) для Qgg*Ron и Idss*Ron. Благодаря низкому разряду и току утечки на затворе эти компоненты подходят для приложений с прямым подключением к аккумулятору и для мобильных устройств. Ноутбук USB Type C дополнительным приложением являются понижающие преобразователи. Кроме того, новейшая технология Innoscience обеспечивает чрезвычайно точное регулирование процесса эпитаксии, что приводит к удивительно постоянному пороговому напряжению и сопротивлению включению, что, в свою очередь, обеспечивает исключительно высокий выход пластин.

Преобразование постоянного тока в позиционный при уровнях мощности до 2 кВт это возможно при использовании устройств напряжением 100 В благодаря их исключительно низкому сопротивлению включению. При параллельном подключении можно достичь уровня мощности до 8 кВт. Напряжение 150 В рассчитано на промышленное применение, в том числе для солнечных установок. Они сконструированы таким образом, чтобы выдерживать экстремальные температуры и давление, при этом не требуется снижение напряжения по промышленному стандарту на 80% (т.е. они рассчитаны на 100% от своего напряжения). Все новые HEMT напряжением 40 В, 100 В и 150 В прошли испытания в соответствии со спецификациями JEDEC и GaN, относящимися к JEP 180.

Наконец, важно отметить, что HEMTs напряжением 1,8 Мом 100 В полностью совместимы с новыми компонентами напряжением 3,9 Мом и 7 Мом 150 В, благодаря их корпусу FCQFN 4×6 мм. Эта характеристика обеспечивает значительную адаптивность конструкции.