Эффективное преобразование энергии повышает производительность при одновременном снижении стоимости готовых транзисторов из нитрида галлия за счет внедрения EPC2045 (7 Мом, 100 В) и EPC2047 (10 Мом, 200 В) Полевые транзисторы Эгана. Области применения EPC2045 включают одноступенчатую нагрузку напряжением 48 В Архитектуры открытых стоечных серверов, преобразователи точки нагрузки, USB-C и ЛиДАР. Области применения для EPC2047 напряжением 200 В включают беспроводная зарядка, многоуровневые источники питания переменного/постоянного тока, робототехника и солнечные микроинверторы.

Увеличивая разрыв в производительности и стоимости за счет эквивалентных кремниевых силовых транзисторов, EPC2045 напряжением 100 В, 7 Мом сокращает размер матрицы вдвое по сравнению с полевым транзистором EPC2001C eGaN предыдущего поколения. Полевой транзистор EPC2047 eGaN напряжением 200 В, 10 Мом также имеет вдвое меньший размер, так что теперь он примерно в 15 раз меньше кремниевых МОП-транзисторов аналогичного класса. Это означает, что дизайнерам не нужно выбирать между размером и производительностью. Упаковка продуктов eGaN с накипью гораздо лучше справляется с тепловыми условиями, чем МОП-транзисторы в пластиковой упаковке, поскольку тепло отводится непосредственно в окружающую среду с помощью устройств с накипью, в то время как тепло от матрицы МОП-транзистора удерживается внутри пластиковой упаковки.

Доступны три платы разработки для поддержки простой внутрисхемной оценки производительности EPC2045 и EPC2047 соответственно. То EPC9078 и EPC9080 поддерживают 100 В EPC2045, в то время как EPC9081 оснащен 200-вольтовым EPC2047.

Технологические разработки GaN имеют значительно меньшую емкость, чем их кремниевые аналоги. Это приводит к снижению потерь на привод затвора и снижению потерь при переключении устройств на более высоких частотах при том же номинальном сопротивлении и напряжении. В случае EPC2045 было достигнуто снижение потерь мощности на 30% при повышении КПД на 2,5 процентных пункта по сравнению с лучшим сопоставимым МОП-транзистором в цепи от 48 В до 5 В, работающей с частотой переключения 500 кГц.

Улучшение производительности, размеров и стоимости, о котором свидетельствуют эти новые продукты, стало возможным благодаря инновационному методу как уменьшения электрических полей в области стока во время пробоя, так и значительного уменьшения количества ловушек, которые могут привести к неактивности электронов.

Низкие оптовые цены на EPC2045 100 В, 7 Мом при 1 тыс. единиц составляют 2,66 доллара за штуку, а низкие оптовые цены на EPC2047 200 В, 25 Мом при 1 тыс. единиц составляют 4,63 доллара за штуку. Платы разработки продаются по цене 118,25 долларов каждая. Оба продукта и платы разработки доступны для немедленной доставки от Digi-Key по адресу http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en