Недавно компания Qorvo объявила о том, что они разработали семь полевых транзисторов из карбида кремния (SiC) напряжением 750 В, которые входят в комплект поставки для поверхностного монтажа D2PAK-7L. Полевые транзисторы SiC, предлагаемые Qorvo, поставляются в различных комплектациях, что делает их идеально подходящими для постоянно расширяющихся рынков встроенных зарядных устройств, преобразователей постоянного тока с плавной коммутацией, зарядки аккумуляторов (быстрой и промышленной) и питания ИТ / серверов. Они предлагают идеальное решение для применений высокой мощности, требующих максимальной эффективности, минимальных потерь теплопроводности и исключительной экономической эффективности в корпусе с улучшенными тепловыми характеристиками. Они делают это, поставляя решение в упаковке, которая термически улучшена.
Серия UJ4C/SC поколения 4 рассчитана на 9, 11, 18, 23, 33, 44, и 60 Мом, и он имеет самый низкий в отрасли RDS (вкл.) — 9 Миллиом (мом) при 650/750 В. Это самая примечательная особенность сериала. Этот обширный ассортимент предоставляет инженерам доступ к более широкому спектру возможностей устройств, что, в свою очередь, дает им большую свободу в достижении оптимального соотношения затрат и эффективности при сохранении значительных конструктивных возможностей и отказоустойчивости схем. Используя единственную в своем роде технологию cascode SiC FET, в которой нормально включенный SiC JFET объединяется с Si MOSFET для получения нормально выключенного SiC FET, эти устройства обеспечивают лучший в своем классе показатель качества RDS x A, что приводит к наименьшему потери проводимости в маленьком кристалле. Это достигается за счет использования технологии cascode SiC FET.
По словам Анупа Бхаллы, который был главным инженером UnitedSiC (ныне известной как Qorvo), “Низкие потери при переключении обеспечивают работу на более высокой частоте и улучшенную плотность мощности системы. Корпус D2PAK-7L снижает индуктивность компактных внутренних соединительных контуров, что в сочетании с входящим в комплект подключением источника Кельвина приводит к минимально возможным потерям при переключении. Эти устройства также включают в себя матрицу для спекания серебра, что обеспечивает очень низкое термическое сопротивление для максимального отвода тепла на стандартных печатных платах, а также на подложках IMS с жидкостным охлаждением. Это возможно благодаря совместимости устройств как с обычными печатными платами, так и с подложками IMS.”