В смартфонах Samsung Galaxy A23 используется микросхема прямого зарядного устройства 2:1 Charge Pump от Halo Microelectronics, производителя аналоговых интегральных схем и схем управления питанием, которые позволяют создавать энергоэффективные интеллектуальные системы.

HL7132 — это низковольтная микросхема быстрого прямого зарядного устройства 2:1 для 1-элементной батареи Литий-ионные и литий-полимерные аккумуляторы которые позволяют удвоить зарядный ток за счет удвоения входного тока от адаптера питания (PD). Например, PD-адаптер с выходом 3 А может заряжать током до 6 А, тем самым сокращая время зарядки аккумулятора на 50% и сокращая время ожидания для пользователей смартфонов A23.

Архитектура коммутируемого конденсаторного преобразователя и встроенные полевые транзисторы в HL7132 оптимизированы для обеспечения 50%-ного рабочего цикла в режиме накачки заряда. Режим накачки заряда 2: 1 позволяет выходному напряжению, VOUT, составлять примерно половину входного напряжения, VIN, а выходному току удваивать входной ток, снижая потери во входном кабеле питания и ограничивая повышение температуры в приложении.

Согласно анализу смартфона Galaxy A23, проведенному аналитическими лабораториями Insight, они обнаружили на основной плате конденсаторное зарядное устройство с коммутацией WQN10 (HL7132) от Halo Microelectronics. Также было показано, что в смартфоне используется 8-ядерный процессор Qualcomm SM6225 Snapdragon 680 4G.

Согласно веб-сайту Samsung, Galaxy A23 оснащен 6,6-дюймовым PLS TFT-дисплеем, разрешением задней камеры 50 Мп и весит 195 г. Его аккумулятор емкостью 5000 мАч (типичный) может работать до 27-28 часов в зависимости от использования Интернета LTE или Wi-Fi. В Galaxy A23 используется Интерфейс USB Type-C для подключения.

“Лидерство Halo Micro в области технологии сверхбыстрой зарядки в настоящее время распространяется от телефонов высокого класса до телефонов среднего класса. Мы гордимся тем, что были выбраны в качестве высокопроизводительных экономичных смартфонов Samsung Galaxy A23”, — сказал Дэвид Нам, генеральный директор Halo Microelectronics.