600007 г. Владимир, ул. 16 лет Октября, д. 68А, литер "Ф", этаж 2, помещение 12
+7 (4922) 53-10-31
info@skb-proton.ru

Энергоэффективные малошумящие МОП-транзисторы STPOWER мощностью 40 В производства STMicroelectronics

Технологии силовой преобразовательной техники

STMicroelectronics выпускает 40-вольтовые МОП-транзисторы STL320N4LF8 и STL325N4LF8AG, отличающиеся энергоэффективностью и низким уровнем шума в схемах преобразования мощности, управление двигателем, и распределение электроэнергии. Конструкция направлена на снижение сопротивления при включении и потерь при переключении, наряду с оптимизацией свойств корпусных диодов.

Новый МОП-транзисторы с N-канальным усилением в режиме 40 В используйте технологию траншеи STPOWER STripFET F8 последнего поколения, заполненную оксидом, для достижения превосходных показателей качества. STL320N4LF8 и STL325N4LF8AG имеют максимальное входное сопротивление (Rds(on)) 0,8 Мом и 0,75 Мом соответственно при напряжении затвор-исток (VGS) 10 В. Чрезвычайно эффективный Rds(on) МОП-транзисторов на единицу площади матрицы обеспечивает компактность и термоэффективность корпуса PowerFLAT 5 × 6.

Усовершенствованная технология ST STripFET F8 также обеспечивает превосходную скорость переключения за счет низкой емкости устройства, что сводит к минимуму динамические параметры, такие как заряд затвора-стока, повышая эффективность системы. Разработчики могут выбирать частоты переключения в диапазоне от 600 кГц до 1 МГц, что позволяет использовать емкостные и магнитные компоненты меньшего размера для экономии размера схемы и спецификации материалов, а также для увеличения удельной мощности конечного приложения.

Надлежащая выходная емкость и соответствующее эквивалентное последовательное сопротивление предотвращают скачки напряжения сток-исток и обеспечивают более короткое время колебания пельменей при выключении. Благодаря этому и характеристике плавного восстановления корпусного диода STL320N4LF8 и STL325N4LF8AG излучают чрезвычайно низкие электромагнитные помехи (EMI) по сравнению с другими аналогичными устройствами, представленными на рынке. Кроме того, диод имеет низкий заряд обратного восстановления, что сводит к минимуму потери энергии в топологиях с жесткой коммутацией.

Пороговое напряжение затвора (VGS(й)) жестко контролируется в STL320N4LF8 и STL325N4LF8AG, что обеспечивает узкий разброс между устройствами и, следовательно, облегчает параллельное подключение нескольких МОП-транзисторов для обработки увеличенного тока. Также обеспечивается исключительная устойчивость к короткому замыканию, выдерживающая до 1000А (импульсы короче 10 мкс).

Идеально подходящие для устройств с батарейным питанием и приложений в вычислительной технике, телекоммуникациях, освещении и общем преобразовании энергии, STL320N4LF8 и STL325N4LF8AG являются первыми МОП-транзисторами STPOWER STripFET F8, сертифицированными по стандарту AEC-Q101, соответственно. Модели STL320N4LF8 и STL325N4LF8AG сейчас находятся в массовом производстве по цене от $1,29 и $1,40 соответственно при заказе от 1000 единиц.