Компания NXP Semiconductors объявляет о новой технологии бокового рассеяния металлооксидных полупроводников (LDMOS) для силовых ВЧ-транзисторов, рассчитанных на напряжение до 65 В. Этот процесс LDMOS со сверхвысоким напряжением приведет к появлению нового поколения продуктов: серии MRFX. Первым продуктом серии MRFX является MRFX1K80, самый мощный в отрасли радиочастотный транзистор непрерывного действия. Он рассчитан на постоянную мощность 1800 Вт при 65 В для приложений с частотой от 1 до 470 МГц и способен поддерживать соотношение стоячей волны напряжения 65:1 (КСВН).

MRFX1K80 предназначен для промышленных, научных и медицинских применений, таких как лазерная генерация, плазменное травление, магнитно-резонансная томография (МРТ), лечение кожи и диатермия, а также ускорители частиц и другие научные приложения. MRFX1K80 также предназначен для радио- и телевизионных передатчиков очень высокой частоты (УКВ). Промышленные нагревательные, сварочные, вулканизационные или сушильные машины, в настоящее время использующие вакуумные трубки, также выиграют от более высокого уровня контроля, который обеспечивает твердотельный накопитель.

Транзистор MRFX1K80H в керамическом корпусе с воздушным резонатором в настоящее время проходит испытания, а производство ожидается в августе 2017 года. В настоящее время доступны эталонные схемы для приложений с частотой 27 МГц и 87,5-108 МГц. Через несколько месяцев NXP предложит версию MRFX1K80N из литого пластика, которая снижает термостойкость на 30 процентов для повышения надежности и простоты использования. Для получения цен или дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с местным офисом продаж NXP или одобренным NXP дистрибьютором.

Для получения дополнительной информации посетите www.nxp.com/65V и www.nxp.com/MRFX1K80H.