Mitsubishi Electric US, Inc. недавно представила новый силовой модуль из карбида кремния (SiC) FMF400DY-24B, включающий антипараллельный, низкий Vf, нулевые потери при восстановлении, SiC SBD (барьерный диод Шоттки). Модуль отличается новым дизайном и стандартными габаритными размерами (62 x 108 мм) для медицинских источников питания и общепромышленного применения.
400А, 1200В Двойной модуль SiC MOSFET рассчитан на напряжение Vgs (вкл.) = 15 В, совместим со стандартными драйверами IGBT-вентилей и может быть встроен в существующие механические схемы для легкой модернизации с использованием технологий Si IGBT.
В модуле используются технологии микросхем SiC MOSFET второго поколения Mitsubishi Electric, которые идеально подходят для применений, требующих высокие частоты переключения. Модуль SiC снижает потери мощности примерно на 70% по сравнению с аналогичными Si IGBT.
“Этот новый модуль выполнен в классическом корпусе с использованием новейших технологий, обеспечивающих превосходную функциональность и гибкость”, — сказал Адам Фальчикик, старший менеджер по продуктам группы силовых устройств Mitsubishi Electric в США. “FMF400DY-24B дополняет растущую линейку продуктов Mitsubishi Electric SiC”.
В дополнение к более высокой эффективности модуль соответствует требованиям директив 2011/65/ЕС об ограничении использования определенных опасных веществ в электрическом и электронном оборудовании (RoHS) и (ЕС) 2015/863 для соответствия важнейшим экологическим нормам. Модуль развивает основное технологическое видение Mitsubishi Electric, внося свой вклад в создание более умного и устойчивого общества.
Свежие комментарии