Выставка PCIM Europe 2022 началась с интересного набора отраслевых достижений, среди которых самые последние разработки Infineon Портфель МОП-транзисторов SiC.

Чтобы увеличить номинальную мощность на инвертор и снизить затраты на систему, разработчики все чаще внедряют в свои приложения соединения напряжением 1500 В постоянного тока. С другой стороны, системы на базе 1500 В постоянного тока имеют существенные конструктивные проблемы, такие как быстрое переключение при высоком постоянном напряжении, что требует многоуровневой топологии. В результате получается сложная конструкция с большим количеством деталей. Infineon Technologies AG расширила свое портфолио CoolSiC, включив в него высоковольтные решения, прокладывая путь для систем солнечной энергии следующего поколения, зарядки электромобилей и накопления энергии.

То Прохладный портфель был расширен и включает в себя 2 кВ карбид кремния (SiC) МОП-транзисторы и SiC-диод напряжением 2 кВ для применений напряжением до 1500 В постоянного тока.

“Чего мы стремимся достичь сейчас, внедряя технологии 2 КВ, так это значительного улучшения соотношения закупаемого топлива”, — сказал Питер Фридрихс, вице-президент Infineon по SiC. “Это особенно важно для внедрения робототехнических решений для монтажа. Возможность создавать отличные системы с очень высокой мощностью меняет правила игры”, — добавил он.

Фридрихс также заявил, что при разработке этого нового портфолио компания учитывала некоторые требования к скорости подачи, особенно к воздействию космических лучей.

Новый SiC MOSFET сочетает в себе низкие потери при переключении с высоким напряжением блокировки, что делает его идеальным для систем постоянного тока напряжением 1500 В. Что касается сопротивления «сток-источник включен», то новая технология CoolSiC напряжением 2 кВ имеет низкое значение RDS (on). Прочный корпус диода также пригоден для жесткого переключения. Благодаря космическим лучам скорость подгонки технологии в десять раз ниже, чем у МОП-транзисторов SiC напряжением 1700 В. Устройства также просты в использовании благодаря широкому рабочему диапазону напряжения на затворе.

Этот новый чип SiC MOSFET основан на передовой технологии Infineon M1H SiC MOSFET, которая была недавно выпущена. Последние достижения позволяют значительно увеличить диапазон напряжений на затворе, что повышает сопротивление при включении матрицы.