Компания Littelfuse, Inc. завершила свою программу участия в выставке PCIM (Power Conversion and Intelligent Motion) Europe 2017. Изюминкой выставки этого года стало представление Серия SiC-диодов Шоттки GEN2 напряжением 1200 В благодаря почти нулевому времени восстановления и низкому прямому напряжению для повышения эффективности системы. Образцы теперь доступны по запросу по ссылкам на сайте Страница новых продуктов SiC-диодов Шоттки Мероприятия на выставке этого года, организованные под девизом “Скорость. Проворство. Гибкость. Будущее силовых полупроводников. Сегодня” включала демонстрацию на стенде новых технологических платформ для продуктов, которые готовятся к внедрению.

“Выставка PCIM Europe 2017 дала нам прекрасную возможность донести информацию о том, что изделия из карбида кремния теперь доступны большему числу разработчиков силовых преобразователей, чем когда-либо прежде”, — сказал Иэн Хайли, старший вице-президент и генеральный менеджер по полупроводниковой продукции и главный технический директор Littelfuse. “Мы с нетерпением ожидаем тесного сотрудничества с этими дизайнерами, чтобы как можно быстрее вывести их продукцию на рынок”.

Эксперты Littelfuse power semiconductor представили серию коротких технических докладов на выставочном стенде, посвященных вопросам, связанным с силовыми полупроводниками, в частности проблемам, связанным с интеграцией SiC-устройств в конструкции силовых преобразователей. Несколько экспертов в данной области также выступили с презентациями, которые демонстрируют практический опыт Littelfuse и лидерство в области силовых полупроводников:

• Используйте SiC–МОП-транзисторы — добейтесь наилучшей производительности
• Изготовление прочных SiC-МОП-транзисторов напряжением 1,2 кВ в крупногабаритной 150-миллиметровой КМОП-матрице
• Решения для более безопасной электронной мобильности
• Сравнение на системном уровне SiC IGBT и SiC MOSFET-транзисторов
• Характеристика и оптимизация SiC-диода свободного хода для минимизации коммутационных потерь в широком диапазоне температур
• МОП–транзисторы SiC — Как мы можем повторить успех SiC-диодов?

Позже в этом году Littelfuse также выпустит свои конкурентоспособные платформы на 1200 В MOSFET, включая поддержку приложений системного уровня, при продолжающейся разработке платформ для других ключевых классов устройств.