Более высокая эффективность, повышенная удельная мощность, меньшие габариты и снижение стоимости системы являются основными преимуществами транзисторов на основе карбида кремния (SiC). Infineon Technologies начинает серийное производство EASY 1B, первого полнофункционального модуля SiC, анонсированного на прошлогодней выставке PCIM. По случаю PCIM в этом году компания демонстрирует дополнительные модульные платформы и топологии для семейства МОП-транзисторов CoolSiC напряжением 1200 В. Теперь Infineon может вывести потенциал технологии SiC на новый уровень.

Новые МОП-транзисторы SiC напряжением 1200 В были оптимизированы таким образом, чтобы сочетать высокую надежность с производительностью. Они показывают динамические потери, которые на порядок ниже, чем 1200 В Si IGBT. Первые продукты изначально будут поддерживать предстоящие системные задачи в таких приложениях, как фотоэлектрические инверторы, источники бесперебойного питания и системы зарядки/ хранения данных. Новые конфигурации также позволят в ближайшем будущем применять революционные решения в промышленных приводах, медицинской технике или вспомогательных источниках питания в железнодорожном секторе.

Одним из основных преимуществ траншейной технологии с SiC MOSEFT напряжением 1200 В является повышенная надежность благодаря меньшему времени выхода из строя и возможности короткого замыкания, которые могут быть адаптированы к соответствующему применению. Благодаря пороговому напряжению 4 В и рекомендуемому порогу включения +15 В транзисторами можно управлять как IGBT и безопасно отключать в случае неисправности. МОП-транзисторы SiC обеспечивают очень быстрое переключение переходных процессов. Кроме того, технология Infineon обеспечивает легкую регулировку переходных процессов с помощью резисторов серии gate. Таким образом, поведение ЭМС может быть легко оптимизировано.

В прошлом году компания анонсировала ведущие продукты EASY 1B (полумост / усилитель), а также дискретные решения TO-247-3pin и -4pin. Платформа EASY 1B хорошо зарекомендовала себя и является идеальной модульной платформой для устройств быстрой коммутации. В этом году Infineon представляет дополнительные модульные платформы и топологии, основанные на технологии SiC MOSFET напряжением 1200 В, которая расширяет спектр характеристик CoolSiC MOSFET. Компания демонстрирует эти модули SiC:

• ПРОСТОЙ 1B с топологией B6 (six-pack): модуль характеризуется проверенной конфигурацией модуля Infineon с сопротивлением включению (R _DS(ВКЛ.)) 45 Мом. Встроенный в корпус диод обеспечивает функцию свободного хода с малыми потерями. EASY 1B подходит для применения в области приводов, солнечной энергии или сварочных технологий.
• ПРОСТОЙ 2B с полумостовой топологией это более крупное и простое устройство, которое обеспечивает повышенную производительность благодаря R_DS(ВКЛ.) из 8 Мом на переключатель. Концепция модуля с низкой индуктивностью подходит для применений мощностью более 50 кВт и быстрой коммутации. К ним относятся солнечные инверторы, системы быстрой зарядки или решения для источников бесперебойного питания.
• 62 мм с полумостовой топологией: дополнительная полумостовая конфигурация, обеспечивающая еще более высокую мощность благодаря R_DS(ВКЛ.)6 Мом на каждую функцию переключения. Эта модульная платформа обеспечивает возможность подключения систем средней мощности с низкой индуктивностью. Это используется в самых разных областях применения, включая медицинскую технику или вспомогательные источники питания в железнодорожном секторе.

Доступность

EASY 1B и два дискретных устройства TO-247-3pin и -4pin — постепенно вводятся в серийное производство в течение этого года. Теперь доступна полумостовая конфигурация для EASY 1B. Его выход на рынок поддерживается различными модулями драйверов и демонстрационными досками. Новые конфигурации продукта доступны в качестве образцов, а серийный запуск запланирован на 2018 год. Более подробная информация доступна по адресу www.infineon.com/coolSiC.