Компания EPC объявляет о выпуске полевого транзистора GaN EPC7007 с радиационной стойкостью. EPC7007 имеет суммарную номинальную дозу более 1 Мрад и иммунитет к воздействию LET 85 МэВ/(мг/см²). Эти устройства предлагаются в корпусе на основе микросхем, таком же, как коммерческое семейство eGaN FET и IC. Упакованные версии будут доступны в EPC Space.

По сравнению с радиационно-твердыми кремниевыми устройствами с аналогичной R_DSon, EPC7007 обеспечивает в 40 раз меньшую Q_G и Q_gd, нулевое обратное восстановление (Q_р-р). а размер в 40 раз меньше. Обладая более высокой прочностью на пробой, меньшим зарядом затвора, меньшими потерями при переключении, лучшей теплопроводностью и очень низким сопротивлением включению, силовые устройства на основе GaN значительно превосходят устройства на основе кремния и обеспечивают более высокие частоты переключения, что приводит к более высокой плотности мощности, более высокой эффективности и более компактным и легким по весу схемам для критически важных космических миссий.. Устройства на основе GaN также поддерживают более высокие уровни общего излучения и видимого LET, чем кремниевые решения.

Области применения, выигрывающие от производительности и быстрого развертывания EPC7007, включают питание от постоянного тока, моторные приводы, лидары, глубинные зонды и ионные двигатели для космических применений, спутников и авионики.

“Технология GaN от EPC обеспечивает новое поколение преобразователей мощности и моторных приводов в космосе, работающих на более высоких частотах, с более высоким КПД и большей плотностью мощности, чем когда-либо достижимые ранее”. “EPC7007 предлагает разработчикам решение с показателем качества, который в 50 раз превосходит лучшие в своем классе жесткие устройства silicon rad”, — сказал Алекс Лидоу, генеральный директор и соучредитель EPC. “EPC7007 расширяет диапазон напряжений нашего семейства rad hard до 200 В и предоставляет разработчикам решение, которое значительно компактнее и дешевле кремниевого.

Перепечатано с разрешения автора.