Компания ROHM Semiconductor анонсировала свои новые 150-вольтовые GAN-транзисторы серии GNE10xxTB (GNE1040TB), которые увеличивают выдерживаемое напряжение затвора (номинальное напряжение затвор–источник) до ведущих в отрасли 8 В — идеально для применения в цепях питания промышленного оборудования, такого как базовые станции и центры обработки данных, наряду с устройствами связи Интернета вещей.

В последние годы – в связи с растущим спросом на серверные системы в ответ на растущее число устройств Интернета вещей – повышение эффективности преобразования энергии и уменьшение габаритов стали важными социальными проблемами, которые требуют дальнейших достижений в секторе устройств питания. Как Устройства GaN как правило, обеспечивают более высокие характеристики переключения и ниже ПО сопротивлению ожидается, что по сравнению с кремниевыми устройствами они будут способствовать снижению энергопотребления различных источников питания и большей миниатюризации периферийных компонентов.

Наряду с ведущими в отрасли SiC-устройствами массового производства и многофункциональными кремниевыми устройствами ROHM разработала устройства GaN, которые обеспечивают превосходную работу на высоких частотах в диапазоне среднего напряжения, что позволяет компании предлагать решения для питания более широкого спектра применений.

В этих новых продуктах используется оригинальная конструкция, которая повышает номинальное напряжение затвора-источника с обычных 6 В до 8 В. В результате предотвращается ухудшение качества, даже если во время переключения возникает превышение напряжения, превышающее 6 В, что способствует увеличению конструктивного запаса и повышению надежности цепей питания. Серия GNE10xxTB предлагается в очень универсальном корпусе, отличающемся превосходным тепловыделением и большой пропускной способностью по току, что облегчает обращение в процессе монтажа.

Компания ROHM выпускает устройства GaN под торговой маркой EcoGaN, которые способствуют большему энергосбережению и миниатюризации^™ и работает над расширением линейки устройств, повышающих производительность. В дальнейшем ROHM продолжит разработку управляющих микросхем, использующих аналоговые технологии питания, такие как наноимпульсное управление^™ и модули, которые включают в себя эти микросхемы, наряду с энергетическими решениями, которые способствуют устойчивому развитию общества за счет максимального повышения производительности устройств GaN.

Оригинал пресс-релиза можно найти здесьздесь.

Этот пресс-релиз был первоначально опубликован на веб-сайте ROHM. Перепечатано с разрешения автора.